CVD-SiC-Beschichtungsschutz

Vetek Semiconductor bietet CVD-SiC-Beschichtungsschutz an, der für LPE-SiC-Epitaxie verwendet wird. Der Begriff „LPE“ bezieht sich normalerweise auf Niederdruckepitaxie (LPE) bei der chemischen Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck (LPCVD). In der Halbleiterfertigung ist LPE eine wichtige Prozesstechnologie zum Züchten einkristalliner Dünnfilme, die häufig zum Züchten von Silizium-Epitaxieschichten oder anderen Halbleiter-Epitaxieschichten verwendet wird. Bei weiteren Fragen können Sie sich gerne an uns wenden.

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Produktbeschreibung

Hochwertiger CVD-SiC-Beschichtungsschutz wird vom chinesischen Hersteller Vetek Semiconductor angeboten. Kaufen Sie einen CVD-SiC-Beschichtungsschutz von hoher Qualität direkt zu einem niedrigen Preis.

Unter LPE-SiC-Epitaxie versteht man die Verwendung der Niederdruckepitaxie-Technologie (LPE), um Siliziumkarbid-Epitaxieschichten auf Siliziumkarbid-Substraten wachsen zu lassen. SiC ist ein ausgezeichnetes Halbleitermaterial mit hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher Durchbruchspannung, hoher Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit und anderen hervorragenden Eigenschaften und wird häufig bei der Herstellung von elektronischen Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräten verwendet.

Die LPE-SiC-Epitaxie ist eine häufig verwendete Wachstumstechnik, die die Prinzipien der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) nutzt, um ein Siliziumkarbidmaterial auf einem Substrat abzuscheiden, um unter den richtigen Temperatur-, Atmosphären- und Druckbedingungen die gewünschte Kristallstruktur zu bilden. Diese Epitaxietechnik kann die Gitteranpassung, Dicke und Dotierungsart der Epitaxieschicht steuern und somit die Geräteleistung beeinflussen.

Zu den Vorteilen der LPE-SiC-Epitaxie gehören:

Hohe Kristallqualität: LPE kann bei hohen Temperaturen hochwertige Kristalle züchten.

Kontrolle der Parameter der Epitaxieschicht: Die Dicke, Dotierung und Gitteranpassung der Epitaxieschicht können präzise gesteuert werden, um den Anforderungen eines bestimmten Geräts gerecht zu werden.

Für bestimmte Geräte geeignet: SiC-Epitaxieschichten eignen sich für die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit besonderen Anforderungen wie Leistungsbauelementen, Hochfrequenzbauelementen und Hochtemperaturbauelementen.

Ein typisches Produkt bei der LPE-SiC-Epitaxie sind die Halbmondteile. Der vor- und nachgeschaltete CVD-SiC-Beschichtungsschutz, der auf der zweiten Hälfte der Halbmondteile montiert ist, ist mit einem Quarzrohr verbunden, das Gas durchlassen kann, um den Wannenboden in Rotation zu versetzen und die Temperatur zu steuern. Es ist ein wichtiger Bestandteil der Siliziumkarbid-Epitaxie.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1