CVD-SiC-Graphitzylinder
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CVD-SiC-Graphitzylinder

Der CVD-SiC-Graphitzylinder von Vetek Semiconductor spielt eine zentrale Rolle in Halbleitergeräten und dient als Schutzschild in Reaktoren, um interne Komponenten bei hohen Temperatur- und Druckeinstellungen zu schützen. Es schützt effektiv vor Chemikalien und extremer Hitze und bewahrt so die Integrität der Ausrüstung. Mit außergewöhnlicher Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit gewährleistet es Langlebigkeit und Stabilität in anspruchsvollen Umgebungen. Die Verwendung dieser Abdeckungen verbessert die Leistung von Halbleitergeräten, verlängert die Lebensdauer und verringert den Wartungsaufwand und das Schadensrisiko. Fragen Sie uns gerne an.

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Produktbeschreibung

Der CVD-SiC-Graphitzylinder von Vetek Semiconductor spielt eine wichtige Rolle in der Halbleiterausrüstung. Es wird normalerweise als Schutzhülle im Inneren des Reaktors verwendet, um die inneren Komponenten des Reaktors in Umgebungen mit hohen Temperaturen und hohem Druck zu schützen. Diese Schutzhülle kann die Chemikalien und hohen Temperaturen im Reaktor wirksam isolieren und so verhindern, dass sie Schäden an der Ausrüstung verursachen. Gleichzeitig weist der CVD-SiC-Graphitzylinder auch eine hervorragende Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit auf, sodass er auch in rauen Arbeitsumgebungen Stabilität und langfristige Haltbarkeit aufrechterhält. Durch den Einsatz von Schutzhüllen aus diesem Material können die Leistung und Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen verbessert und so die Lebensdauer des Geräts verlängert und gleichzeitig der Wartungsaufwand und das Schadensrisiko verringert werden.

CVD-SiC-Graphitzylinder haben ein breites Anwendungsspektrum in Halbleitergeräten, einschließlich, aber nicht beschränkt auf die folgenden Aspekte:

Wärmebehandlungsgeräte: CVD-SiC-Graphitzylinder können als Schutzabdeckung oder Hitzeschild in Wärmebehandlungsgeräten verwendet werden, um interne Komponenten vor hohen Temperaturen zu schützen und gleichzeitig eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit zu bieten.

Reaktor für chemische Gasphasenabscheidung (CVD): Im CVD-Reaktor kann der CVD-SiC-Graphitzylinder als Schutzabdeckung für die chemische Reaktionskammer verwendet werden, wodurch die Reaktionssubstanz wirksam isoliert und Korrosionsbeständigkeit gewährleistet wird.

Anwendungen in korrosiven Umgebungen: Aufgrund seiner hervorragenden Korrosionsbeständigkeit kann der CVD-SiC-Graphitzylinder in chemisch korrodierten Umgebungen eingesetzt werden, beispielsweise in Umgebungen mit korrosiven Gasen oder Flüssigkeiten während der Halbleiterherstellung.

Ausrüstung für das Halbleiterwachstum: Schutzabdeckungen oder andere Komponenten, die in Ausrüstung für das Halbleiterwachstum verwendet werden, um die Ausrüstung vor hohen Temperaturen, chemischer Korrosion und Verschleiß zu schützen und so die Stabilität und langfristige Zuverlässigkeit der Ausrüstung sicherzustellen.

Hohe Temperaturstabilität, Korrosionsbeständigkeit, hervorragende mechanische Eigenschaften, Wärmeleitfähigkeit. Mit dieser hervorragenden Leistung trägt es dazu bei, die Wärme in Halbleiterbauelementen effizienter abzuleiten und so die Stabilität und Leistung des Bauelements aufrechtzuerhalten.


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte 3,21 g/cm³
Härte 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung 2~10μm
Chemische Reinheit 99,99995 %
Wärmekapazität 640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur 2700℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit 300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5×10-6K-1


Produktionsstätten:


Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:


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