CVD-TaC-beschichteter dreiblättriger Führungsring

VeTek Semiconductor verfügt über langjährige technologische Entwicklung und beherrscht die führende Prozesstechnologie der CVD-TaC-Beschichtung. Der mit CVD-TaC beschichtete dreiblättrige Führungsring ist eines der ausgereiftesten CVD-TaC-Beschichtungsprodukte von VeTek Semiconductor und eine wichtige Komponente für die Herstellung von SiC-Kristallen mittels PVT-Methode. Ich glaube, dass Ihre SiC-Kristallproduktion mit Hilfe von VeTek Semiconductor reibungsloser und effizienter verlaufen wird.

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Produktbeschreibung

Siliziumkarbid-Einkristall-Substratmaterial ist eine Art Kristallmaterial, das zu Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke gehört. Es bietet die Vorteile einer hohen Spannungsbeständigkeit, einer hohen Temperaturbeständigkeit, einer hohen Frequenz, eines geringen Verlusts usw. Es ist ein Grundmaterial für die Herstellung von leistungsstarken elektronischen Leistungsgeräten und Mikrowellen-Hochfrequenzgeräten. Derzeit sind die Hauptmethoden für die Züchtung von SiC-Kristallen der physikalische Dampftransport (PVT-Methode), die chemische Gasphasenabscheidung bei hoher Temperatur (HTCVD-Methode), die Flüssigphasenmethode usw.

Working diagram of CVD TaC coated three-petal guide ring

Bei der PVT-Methode handelt es sich um eine relativ ausgereifte Methode, die sich eher für die industrielle Massenproduktion eignet. Durch Platzieren des SiC-Impfkristalls auf der Oberseite des Tiegels und Platzieren des SiC-Pulvers als Rohmaterial auf dem Boden des Tiegels in einer geschlossenen Umgebung mit hoher Temperatur und niedrigem Druck sublimiert das SiC-Pulver und wird nach oben in die Umgebung transportiert des Impfkristalls unter der Wirkung von Temperaturgradienten und Konzentrationsunterschieden und rekristallisiert nach Erreichen des übersättigten Zustands, kann das kontrollierbare Wachstum der SiC-Kristallgröße und des spezifischen Kristalltyps erreicht werden.

Die Hauptfunktion des CVD-TaC-beschichteten dreiblättrigen Führungsrings besteht darin, die Strömungsmechanik zu verbessern, den Gasfluss zu leiten und dem Kristallwachstumsbereich dabei zu helfen, eine gleichmäßige Atmosphäre zu schaffen. Außerdem leitet es Wärme effektiv ab und hält den Temperaturgradienten während des Wachstums von SiC-Kristallen aufrecht, wodurch die Wachstumsbedingungen von SiC-Kristallen optimiert und Kristalldefekte durch ungleichmäßige Temperaturverteilung vermieden werden.

Hervorragende Leistung der CVD-TaC-Beschichtung

● Ultrahohe Reinheit: Verhindert die Entstehung von Verunreinigungen und Kontaminationen.

● Hohe Temperaturstabilität: Die hohe Temperaturstabilität über 2500 °C ermöglicht den Betrieb bei extrem hohen Temperaturen.

● Toleranz gegenüber chemischen Umgebungen: Toleranz gegenüber H(2), NH(3), SiH(4) und Si und bietet Schutz in rauen chemischen Umgebungen.

● Langes Leben ohne Haarausfall: Eine starke Verbindung mit dem Graphitkörper kann eine lange Lebensdauer ohne Ablösen der Innenbeschichtung gewährleisten.

● Thermoschockbeständigkeit: Die Thermoschockbeständigkeit beschleunigt den Betriebszyklus.

●Strenge Maßtoleranz: Stellt sicher, dass die Beschichtungsabdeckung strengen Maßtoleranzen entspricht.

VeTek Semiconductor verfügt über ein professionelles und ausgereiftes technisches Support- und Vertriebsteam, das die am besten geeigneten Produkte und Lösungen für Sie anpassen kann. Vom Pre-Sales bis zum After-Sales ist VeTek Semiconductor stets bestrebt, Ihnen den umfassendsten und umfassendsten Service zu bieten.

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte der TaC-Beschichtung	14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad	0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient	6,3 10^-6/K
TaC-Beschichtungshärte (HK)	2000 HK
Widerstand	1×10^-5Ohm*cm
Thermische Stabilität	<2500℃
Graphitgrößenänderungen	-10~-20um
Beschichtungsdicke	≥20um typischer Wert (35um±10um)
Wärmeleitfähigkeit	9–22 (W/m·K)

VeTek Semiconductor CVD-TaC-beschichtete dreiblättrige Führungsringe sind erhältlich

SiC Graphite substrate CVD TaC coated three-petal guide ring test Silicon carbide ceramic processing Semiconductor process equipment

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