VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von tantalkarbidbeschichteten Abdeckungen in China. Wir sind seit vielen Jahren auf TaC- und SiC-Beschichtungen spezialisiert. Unsere Produkte zeichnen sich durch Korrosionsbeständigkeit und hohe Festigkeit aus. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Bei VeTek Semiconductor finden Sie eine riesige Auswahl an mit Tantalkarbid beschichteten Abdeckungen aus China. Bieten Sie professionellen Kundendienst und den richtigen Preis und freuen Sie sich auf die Zusammenarbeit. Die von VeTek Semiconductor entwickelte Tantalkarbid-beschichtete Abdeckung ist ein Zubehör, das speziell für das AIXTRON G10 MOCVD-System entwickelt wurde und darauf abzielt, die Effizienz zu optimieren und die Qualität der Halbleiterfertigung zu verbessern. Es wird sorgfältig aus hochwertigen Materialien gefertigt und mit höchster Präzision hergestellt, um eine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit für MOCVD-Prozesse (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) zu gewährleisten.
Die mit Tantalkarbid beschichtete Abdeckung besteht aus einem Graphitsubstrat, das mit chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) Tantalkarbid (TaC) beschichtet ist, und bietet außergewöhnliche thermische Stabilität, hohe Reinheit und Beständigkeit gegen erhöhte Temperaturen. Diese einzigartige Materialkombination bietet eine zuverlässige Lösung für die anspruchsvollen Betriebsbedingungen des MOCVD-Systems.
Die mit Tantalkarbid beschichtete Abdeckung kann an verschiedene Halbleiterwafergrößen angepasst werden und eignet sich somit für unterschiedliche Produktionsanforderungen. Seine robuste Konstruktion ist speziell darauf ausgelegt, der anspruchsvollen MOCVD-Umgebung standzuhalten, eine dauerhafte Leistung zu gewährleisten und Ausfallzeiten und Wartungskosten im Zusammenhang mit Waferträgern und Suszeptoren zu minimieren.
Durch die Integration der TaC-Abdeckung in das AIXTRON G10 MOCVD-System können Halbleiterhersteller eine höhere Effizienz und bessere Ergebnisse erzielen. Die außergewöhnliche thermische Stabilität, die Kompatibilität mit verschiedenen Wafergrößen und die zuverlässige Leistung der Planetary Disk machen sie zu einem unverzichtbaren Werkzeug zur Optimierung der Produktionseffizienz und zur Erzielung herausragender Ergebnisse im MOCVD-Prozess.
Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung | |
Dichte | 14,3 (g/cm³) |
Spezifischer Emissionsgrad | 0.3 |
Wärmeausdehnungskoeffizient | 6,3 10-6/K |
Härte (HK) | 2000 HK |
Widerstand | 1×10-5Ohm*cm |
Thermische Stabilität | <2500℃ |
Graphitgrößenänderungen | -10~-20um |
Beschichtungsdicke | ≥20um typischer Wert (35um±10um) |