TaC-beschichteter Deflektorring

Der TaC-beschichtete Deflektorring von VeTek Semiconductor ist eine hochspezialisierte Komponente, die für SiC-Kristallwachstumsprozesse entwickelt wurde. Die TaC-Beschichtung bietet eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit und chemische Inertheit, um den hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen während des Kristallwachstumsprozesses standzuhalten. Dies gewährleistet eine stabile Leistung und eine lange Lebensdauer der Komponente und reduziert die Häufigkeit des Austauschs und die Ausfallzeiten. Wir sind bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.

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Produktbeschreibung

VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant von TaC-beschichteten Deflektorringen in China. Bei unseren TaC-beschichteten Deflektorringen handelt es sich um hochspezialisierte Komponenten, die für den Einsatz in SiC-Kristallwachstumsprozessen entwickelt wurden. Diese Komponenten sind in Umgebungen, in denen hohe Temperaturbeständigkeit, außergewöhnliche Haltbarkeit und unübertroffene chemische Inertheit erforderlich sind, von entscheidender Bedeutung.

TaC-beschichtete Deflektorringe werden aus hochreinem Tantalcarbid hergestellt, das eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und extreme Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen und Thermoschocks bietet. Die TaC-Beschichtung der Komponente bietet eine zusätzliche Schutzschicht gegen die aggressiven Chemikalien und rauen Umgebungen, die beim Kristallwachstum üblich sind. Das Vorhandensein der Beschichtung erhöht die Haltbarkeit und Lebensdauer der Komponente und sorgt für eine gleichbleibende Leistung über mehrere Zyklen hinweg.

TaC-beschichtete Deflektorringe halten Temperaturen von bis zu 2200 °C stand und eignen sich daher ideal für Hochtemperaturprozesse. TaC-beschichtete Deflektorringe werden hauptsächlich in der Halbleiterindustrie eingesetzt, insbesondere für das Kristallwachstum von Siliziumkarbid. Geeignet sowohl für Forschungs- als auch für Kristallwachstumsreaktoren im industriellen Maßstab.

Produktparameter des TaC-beschichteten Deflektorrings

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte	14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad	0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient	6,3 10-6/K
Härte (HK)	2000 HK
Widerstand	1×10-5 Ohm*cm
Thermische Stabilität	<2500℃
Graphitgrößenänderungen	-10~-20um
Beschichtungsdicke	≥20um typischer Wert (35um±10um)

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Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:

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