VeTek Semiconductor ist ein Hersteller und Innovator von großen TaC-beschichteten Ringen für SiC-Epitaxialreaktoren in China. Wir sind seit vielen Jahren auf TaC-Beschichtungen spezialisiert. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Reinheit, hohe Stabilität, ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit und hohe Haftfestigkeit aus. Wir schauen Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
VeTek Semiconductor ist ein renommiertes Unternehmen mit Sitz in China, das für seine Expertise in der Herstellung hochwertiger TaC- und SiC-Beschichtungen sowie hochreiner TaC-beschichteter Ringe für SiC-Epitaxialreaktoren bekannt ist. Wir sind stolz darauf, erstklassige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir laden Sie herzlich ein, mit uns Kontakt aufzunehmen und die außergewöhnlichen Lösungen zu entdecken, die wir bieten.
Unsere TaC-beschichteten Ringe für SiC-Epitaxialreaktoren spielen eine entscheidende Rolle. Diese Ringe sind ein integraler Bestandteil unseres Halbmond-Sets und bieten wesentliche Funktionen wie Substratunterstützung, präzise Temperaturkontrolle, effektive Wärmeisolierung, effiziente Belüftung und zuverlässigen Schutz. Durch ihre harmonische Zusammenarbeit gewährleisten diese Ringe eine sorgfältige Kontrolle über die Dicke, Dotierung und Defekteigenschaften der in der Reaktionskammer gewachsenen SiC-Epitaxieschicht.
Zusätzlich zu unseren außergewöhnlichen TaC-beschichteten Ringen bietet VeTek Semiconductor eine umfangreiche Palette verwandter Produkte an, die speziell für Reaktionskammern entwickelt wurden. Unsere Produktpalette umfasst obere und untere Halbmonde, Schutzabdeckungen, Isolierabdeckungen und Prozessluftumleitungsschnittstellen. Jede dieser Komponenten wird einer sorgfältigen SiC- oder TaC-Beschichtung unterzogen, um die Leistung zu verbessern und ihre Lebensdauer zu verlängern.
Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung | |
Dichte | 14,3 (g/cm³) |
Spezifischer Emissionsgrad | 0.3 |
Wärmeausdehnungskoeffizient | 6,3 10-6/K |
Härte (HK) | 2000 HK |
Widerstand | 1×10-5 Ohm*cm |
Thermische Stabilität | <2500℃ |
Graphitgrößenänderungen | -10~-20um |
Beschichtungsdicke | ≥20um typischer Wert (35um±10um) |