CVD-TaC-Beschichtungsträger

Der CVD-TaC-Beschichtungsträger von VeTek Semiconductor ist hauptsächlich für den epitaktischen Prozess der Halbleiterherstellung konzipiert. Der ultrahohe Schmelzpunkt, die hervorragende Korrosionsbeständigkeit und die hervorragende thermische Stabilität des CVD-TaC-Beschichtungsträgers machen dieses Produkt für den Halbleiter-Epitaxieprozess unverzichtbar. Wir hoffen aufrichtig, eine langfristige Geschäftsbeziehung mit Ihnen aufzubauen.

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Produktbeschreibung

VeTek Semiconductor ist ein professioneller Marktführer für CVD-TaC-Beschichtungsträger in China, EPITAXY SUSCEPTOR,TaC-beschichteter Graphit-SuszeptorHersteller.

Durch kontinuierliche Prozess- und Materialinnovationsforschung spielt der CVD-TaC-Beschichtungsträger von Vetek Semiconductor eine sehr entscheidende Rolle im Epitaxieprozess, die hauptsächlich die folgenden Aspekte umfasst:

Untergrundschutz: Der CVD-TaC-Beschichtungsträger bietet eine hervorragende chemische Stabilität und thermische Stabilität und verhindert wirksam, dass hohe Temperaturen und korrosive Gase das Substrat und die Innenwand des Reaktors erodieren, wodurch die Reinheit und Stabilität der Prozessumgebung gewährleistet wird.

Thermische Gleichmäßigkeit: In Kombination mit der hohen Wärmeleitfähigkeit des CVD-TaC-Beschichtungsträgers sorgt es für eine gleichmäßige Temperaturverteilung im Reaktor, optimiert die Kristallqualität und die Dickengleichmäßigkeit der Epitaxieschicht und verbessert die Leistungskonsistenz des Endprodukts.

Kontrolle der Partikelkontamination: Da CVD-TaC-beschichtete Träger extrem niedrige Partikelerzeugungsraten aufweisen, reduzieren die glatten Oberflächeneigenschaften das Risiko einer Partikelverunreinigung erheblich und verbessern dadurch die Reinheit und Ausbeute beim epitaktischen Wachstum.

Verlängerte Lebensdauer der Ausrüstung: In Kombination mit der hervorragenden Verschleißfestigkeit und Korrosionsbeständigkeit des CVD-TaC-Beschichtungsträgers verlängert es die Lebensdauer der Reaktionskammerkomponenten erheblich, reduziert Ausfallzeiten und Wartungskosten der Ausrüstung und verbessert die Produktionseffizienz.

Durch die Kombination der oben genannten Eigenschaften verbessert der CVD-TaC-Beschichtungsträger von VeTek Semiconductor nicht nur die Zuverlässigkeit des Prozesses und die Qualität des Produkts im epitaktischen Wachstumsprozess, sondern bietet auch eine kostengünstige Lösung für die Halbleiterfertigung.

Tantalcarbid-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt:

Tantalum carbide coating on a microscopic cross section picture

Physikalische Eigenschaften des CVD-TaC-Beschichtungsträgers:

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte	14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad	0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient	6,3*10^-6/K
Härte (HK)	2000 HK
Widerstand	1×10^-5Ohm*cm
Thermische Stabilität	<2500℃
Graphitgrößenänderungen	-10~-20um
Beschichtungsdicke	≥20um typischer Wert (35um±10um)