CVD-TaC-Beschichtungstiegel

Der TaC-Beschichtungsrotationssuszeptor spielt eine Schlüsselrolle bei Hochtemperatur-Abscheidungsprozessen wie CVD und MBE und ist eine wichtige Komponente für die Waferverarbeitung in der Halbleiterfertigung. Darunter,TaC-Beschichtungverfügt über eine ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und chemische Stabilität, was eine hohe Präzision und hohe Qualität bei der Waferverarbeitung gewährleistet.

CVD-TaC-Beschichtungstiegel bestehen normalerweise aus TaC-Beschichtung undGraphitSubstrat. Unter ihnen ist TaC ein Keramikmaterial mit hohem Schmelzpunkt und einem Schmelzpunkt von bis zu 3880 °C. Es verfügt über eine extrem hohe Härte (Vickers-Härte bis 2000 HV), chemische Korrosionsbeständigkeit und starke Oxidationsbeständigkeit. Daher ist die TaC-Beschichtung ein ausgezeichnetes hochtemperaturbeständiges Material in der Halbleiterverarbeitungstechnologie.

Das Graphitsubstrat verfügt über eine gute Wärmeleitfähigkeit (die Wärmeleitfähigkeit beträgt etwa 21 W/m·K) und eine ausgezeichnete mechanische Stabilität. Diese Eigenschaft bestimmt, dass Graphit eine ideale Beschichtung istSubstrat.

CVD-TaC-Beschichtungstiegel werden hauptsächlich in den folgenden Halbleiterverarbeitungstechnologien verwendet:

Waferherstellung: Der CVD-TaC-Beschichtungstiegel von VeTek Semiconductor weist eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit (Schmelzpunkt bis zu 3880 °C) und Korrosionsbeständigkeit auf und wird daher häufig in wichtigen Wafer-Herstellungsprozessen wie Hochtemperatur-Dampfabscheidung (CVD) und epitaktischem Wachstum eingesetzt. In Kombination mit der hervorragenden strukturellen Stabilität des Produkts in Umgebungen mit extrem hohen Temperaturen stellt es sicher, dass die Ausrüstung über einen langen Zeitraum unter extrem rauen Bedingungen stabil arbeiten kann, wodurch die Produktionseffizienz und Qualität der Wafer effektiv verbessert werden.

Epitaktischer Wachstumsprozess: Bei epitaktischen Prozessen wie zchemische Gasphasenabscheidung (CVD)und Molekularstrahlepitaxie (MBE) spielt der CVD-TaC-Beschichtungstiegel eine Schlüsselrolle beim Tragen. Seine TaC-Beschichtung kann nicht nur die hohe Reinheit des Materials bei extremen Temperaturen und korrosiver Atmosphäre aufrechterhalten, sondern auch wirksam die Kontamination der Reaktanten auf dem Material und die Korrosion des Reaktors verhindern und so die Genauigkeit des Produktionsprozesses und die Produktkonsistenz gewährleisten.

Als Chinas führender Hersteller und Marktführer für CVD-TaC-Beschichtungstiegel kann VeTek Semiconductor maßgeschneiderte Produkte und technische Dienstleistungen entsprechend Ihren Ausrüstungs- und Prozessanforderungen anbieten. Wir hoffen aufrichtig, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt：

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung：

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