Der CVD-TaC-Beschichtungsring von VeTek Semiconductor ist eine äußerst vorteilhafte Komponente, die den anspruchsvollen Anforderungen von Siliziumkarbid-Kristallwachstumsprozessen (SiC) gerecht wird. Der CVD-TaC-Beschichtungsring bietet eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit und chemische Inertheit und ist damit die ideale Wahl für Umgebungen mit erhöhten Temperaturen und korrosiven Bedingungen. Wir sind bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu sein in China.
Der CVD-TaC-Beschichtungsring von VeTek Semiconductor ist eine entscheidende Komponente für das erfolgreiche Wachstum von Siliziumkarbid-Einkristallen. Mit seiner Hochtemperaturbeständigkeit, chemischen Inertheit und überlegenen Leistung gewährleistet es die Herstellung hochwertiger Kristalle mit konsistenten Ergebnissen. Vertrauen Sie auf unsere innovativen Lösungen, um Ihre SiC-Kristallwachstumsprozesse mit der PVT-Methode zu verbessern und außergewöhnliche Ergebnisse zu erzielen.
Beim Wachstum von Siliziumkarbid-Einkristallen spielt der CVD-TaC-Beschichtungsring eine entscheidende Rolle bei der Gewährleistung optimaler Ergebnisse. Seine präzisen Abmessungen und die hochwertige TaC-Beschichtung ermöglichen eine gleichmäßige Temperaturverteilung, minimieren thermische Belastungen und fördern die Kristallqualität. Die überlegene Wärmeleitfähigkeit der TaC-Beschichtung ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung und trägt so zu verbesserten Wachstumsraten und verbesserten Kristalleigenschaften bei. Seine robuste Konstruktion und hervorragende thermische Stabilität sorgen für zuverlässige Leistung und längere Lebensdauer, wodurch die Notwendigkeit häufiger Austausche reduziert und Produktionsausfallzeiten minimiert werden.
Die chemische Inertheit des CVD-TaC-Beschichtungsrings ist entscheidend, um unerwünschte Reaktionen und Verunreinigungen während des SiC-Kristallwachstumsprozesses zu verhindern. Es stellt eine Schutzbarriere dar, die die Integrität des Kristalls aufrechterhält und Verunreinigungen minimiert. Dies trägt zur Herstellung hochwertiger, defektfreier Einkristalle mit hervorragenden elektrischen und optischen Eigenschaften bei.
Zusätzlich zu seiner außergewöhnlichen Leistung ist der CVD-TaC-Beschichtungsring für eine einfache Installation und Wartung konzipiert. Die Kompatibilität mit vorhandener Ausrüstung und die nahtlose Integration sorgen für einen optimierten Betrieb und eine höhere Produktivität.
Verlassen Sie sich auf VeTek Semiconductor und unseren CVD-TaC-Beschichtungsring für zuverlässige und effiziente Leistung und positionieren Sie sich an der Spitze der SiC-Kristallwachstumstechnologie.
Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung | |
Dichte | 14,3 (g/cm³) |
Spezifischer Emissionsgrad | 0.3 |
Wärmeausdehnungskoeffizient | 6,3 10-6/K |
Härte (HK) | 2000 HK |
Widerstand | 1×10-5 Ohm*cm |
Thermische Stabilität | <2500℃ |
Graphitgrößenänderungen | -10~-20um |
Beschichtungsdicke | ≥20um typischer Wert (35um±10um) |