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Mit Tantalcarbid beschichtete Röhre für das Kristallwachstum
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Mit Tantalcarbid beschichtete Röhre für das Kristallwachstum

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von mit Tantalkarbid beschichteten Rohren für die Kristallzüchtung in China. Wir sind seit vielen Jahren auf Keramikbeschichtungen spezialisiert. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Reinheit und hohe Temperaturbeständigkeit aus. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden in China.

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Produktbeschreibung

Sie können sicher sein, dass Sie bei VeTek Semiconductor maßgeschneiderte, mit Tantalkarbid beschichtete Rohre für die Kristallzüchtung kaufen. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen. Wenn Sie mehr wissen möchten, können Sie uns jetzt kontaktieren, wir werden Ihnen rechtzeitig antworten!


VeTek Semiconductor bietet mit Tantalcarbid beschichtete Rohre für die Kristallzüchtung an, die speziell für die SiC-Kristallzüchtung unter Verwendung der PVT-Methode (Physical Vapour Transport) entwickelt wurden. Die Graphitrohre von VeTek Semiconductor zeichnen sich durch eine hochreine CVD-Tantalkarbidbeschichtung aus, die eine optimale Leistung beim SiC-Kristallwachstum gewährleistet. SiC-Kristalle, sogenannte Halbleiter der dritten Generation, bergen ein enormes Potenzial für verschiedene Anwendungen. Durch den Einsatz unseres mit Tantalkarbid beschichteten Rohrs für das Kristallwachstum können Forscher und Branchenexperten das SiC-Wachstum effektiv optimieren und hochwertige SiC-Kristallkugeln herstellen. Ob Sie in der Forschung oder in der industriellen Produktion tätig sind, unsere Produkte bieten zuverlässige Lösungen für effizientes SiC-Kristallwachstum.


Neben TaC-beschichteten Graphitrohren liefert VeTek Semiconductor auch TaC-beschichtete Ringe, TaC-beschichtete Tiegel, TaC-beschichtetes poröses Graphit, TaC-beschichteter Graphitsuszeptor, TaC-beschichteter Führungsring, TaC-Tantalcarbid-beschichtete Platte, TaC-Beschichtungsring, TaC-beschichtete Graphitabdeckung, TaC-beschichtete Stück für Kristallwachstumsofen wie unten:


TaC coated graphite tube


PVT-Methode SiC-Kristallwachstum

PVT method SiC Crystal Growth


Produktparameter des mit Tantalkarbid beschichteten Rohrs für das Kristallwachstum


Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1×10-5Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Graphitgrößenänderungen -10~-20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um±10um)


Wafer-Leistung nach Verwendung unserer Komponenten

Wafer performance after using our components


VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt

Veteksemi Tantalum Carbide Coated Tube for Crystal Growth shops


Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:

the semiconductor chip epitaxy industry chain


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