TaC-beschichteter Graphit-Wafer-Träger
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TaC-beschichteter Graphit-Wafer-Träger

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von TaC-beschichteten Graphit-Waferträgern in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC- und TaC-Beschichtungen spezialisiert. Unser TaC-beschichteter Graphit-Waferträger weist eine höhere Temperaturbeständigkeit und Verschleißfestigkeit auf. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Sie können sicher sein, maßgeschneiderte TaC-beschichtete Graphit-Wafer-Träger von VeTek Semiconductor zu kaufen. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen. Wenn Sie mehr wissen möchten, können Sie uns jetzt kontaktieren, wir werden Ihnen rechtzeitig antworten!

VeTek Semiconductor TaC-beschichteter Graphit-Waferträger interagiert direkt mit Wafern im Epitaxiereaktor und steigert so die Effizienz und Leistung. Mit der Option einer Siliziumkarbid- oder Tantalkarbid-Beschichtung bietet der VeTek Semiconductor TaC-beschichtete Graphit-Wafer-Träger eine längere Lebensdauer, bis zu 2-3 mal länger mit Tantalkarbid. Kompatibel mit verschiedenen Maschinenmodellen, einschließlich LPE-SiC-Epitaxieöfen, JSG- und NASO-Epitaxieöfen.

Der mit TaC beschichtete Graphitträger von VeTek Semiconductor gewährleistet eine präzise Reaktionsstöchiometrie, verhindert die Migration von Verunreinigungen und sorgt für eine Temperaturstabilität über 2000 °C. Es weist eine bemerkenswerte Beständigkeit gegenüber H2, NH3, SiH4 und Si auf und schützt so vor rauen chemischen Umgebungen. Es widersteht Temperaturschocks und ermöglicht schnelle Betriebszyklen ohne Ablösung der Beschichtung.

Die TaC-Beschichtung von VeTek Semiconductor garantiert eine ultrahohe Reinheit, eliminiert Verunreinigungen und gewährleistet eine konforme Abdeckung unter Einhaltung strenger Maßtoleranzen. Mit den fortschrittlichen Möglichkeiten zur Graphitverarbeitung von VeTek Semiconductor sind wir in der Lage, Ihre individuellen Anforderungen zu erfüllen. Ganz gleich, ob Sie Beschichtungsdienstleistungen oder umfassende Lösungen benötigen, unser Team aus erfahrenen Ingenieuren ist bereit, die perfekte Lösung für Ihre spezifischen Anwendungen zu entwickeln. Vertrauen Sie darauf, dass wir qualitativ hochwertige Produkte liefern, die auf Ihre Anforderungen und Erwartungen zugeschnitten sind.


PVT-Methode SiC-Kristallwachstum


Produktparameter des TaC-beschichteten Graphit-Wafer-Trägers

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1×10-5 Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Graphitgrößenänderungen -10~-20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um±10um)


VeTek Semiconductor Production Shop


Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:


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