Poröser Graphit mit TaC-Beschichtung
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Poröser Graphit mit TaC-Beschichtung

Poröser Graphit mit TaC-Beschichtung ist ein fortschrittliches Halbleiterverarbeitungsmaterial von VeTek Semiconductor. Poröser Graphit mit TaC-Beschichtung kombiniert die Vorteile von porösem Graphit und einer Tantalcarbid-Beschichtung (TaC) mit guter Wärmeleitfähigkeit und Gasdurchlässigkeit. VeTek Semiconductor ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten, und wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.

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Produktbeschreibung

VeTek Semiconductor ist ein chinesischer Hersteller und Lieferant, der hauptsächlich produziertPoröser Graphitmit TaC beschichtet mit langjähriger Erfahrung. Ich hoffe, eine Geschäftsbeziehung mit Ihnen aufzubauen.


VeTek Semiconductor Porous Graphite with TaC Coated Material ist ein revolutionäres Halbleiterfertigungsmaterial, das porösen Graphit perfekt mit einer Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung kombiniert. Dieses poröse Graphit mit TaC-beschichtetem Material verfügt über eine hervorragende Permeabilität und hohe Porosität mit einer maximalen Porosität von 75 % und stellt damit einen internationalen Branchenrekord auf. Eine hochreine TaC-Beschichtung verbessert nicht nur die Korrosions- und Verschleißfestigkeit von porösem Graphit, sondern bietet auch eine zusätzliche Schutzschicht und löst so Herausforderungen wie Verarbeitung und Korrosion wirksam.


Die Verwendung von TaC-beschichtetem porösem Graphit kann die Effizienz und Qualität des Halbleiterherstellungsprozesses erheblich verbessern. Seine hervorragende Permeabilität gewährleistet die Stabilität des Materials unter Hochtemperaturbedingungen und kontrolliert wirksam die Zunahme von Kohlenstoffverunreinigungen. Gleichzeitig sorgt das Design mit hoher Porosität für eine bessere Gasdiffusionsleistung und hilft so, eine reine Wachstumsumgebung aufrechtzuerhalten.


Wir sind bestrebt, unseren Kunden hervorragende Materialien aus porösem Graphit mit TaC-Beschichtung anzubieten, um den Anforderungen der Halbleiterfertigungsindustrie gerecht zu werden. Ob in Forschungslaboren oder in der industriellen Produktion, dieses fortschrittliche Material kann Ihnen dabei helfen, hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit zu erreichen. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über dieses revolutionäre Material zu erfahren und Ihre Innovationsreise zur Förderung der Halbleiterfertigung zu beginnen.


PVT-Methode SiC-Kristallwachstum

PVT method SiC Crystal Growth working diagram


Produktparameter des porösen Graphits mit TaC-Beschichtung

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte der TaC-Beschichtung 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3 10-6/K
TaC-Beschichtungshärte (HK) 2000 HK
Widerstand 1×10-5Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Graphitgrößenänderungen -10~-20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um±10um)



VeTek Semiconductor Poröser Graphit mit TaC-beschichteter Produktion Geschäft

Graphite substrateMOCVD epitaxial growth process testSilicon carbide ceramic processingSemiconductor process equipment



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