Poröser Graphit mit TaC-Beschichtung

VeTek Semiconductor ist ein chinesischer Hersteller und Lieferant, der hauptsächlich porösen Graphit mit TaC-Beschichtung herstellt und über langjährige Erfahrung verfügt. Ich hoffe, eine Geschäftsbeziehung mit Ihnen aufzubauen.

VeTek Semiconductor Porous Graphite with TaC Coated Material ist ein revolutionäres Halbleiterfertigungsmaterial, das porösen Graphit perfekt mit einer Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung kombiniert. Dieses poröse Graphit mit TaC-beschichtetem Material verfügt über eine hervorragende Permeabilität und hohe Porosität mit einer maximalen Porosität von 75 % und stellt damit einen internationalen Branchenrekord auf. Eine hochreine TaC-Beschichtung verbessert nicht nur die Korrosions- und Verschleißfestigkeit von porösem Graphit, sondern bietet auch eine zusätzliche Schutzschicht und löst so Herausforderungen wie Verarbeitung und Korrosion wirksam.

Die Verwendung von TaC-beschichtetem porösem Graphit kann die Effizienz und Qualität des Halbleiterherstellungsprozesses erheblich verbessern. Seine hervorragende Permeabilität gewährleistet die Stabilität des Materials unter Hochtemperaturbedingungen und kontrolliert wirksam die Zunahme von Kohlenstoffverunreinigungen. Gleichzeitig sorgt das Design mit hoher Porosität für eine bessere Gasdiffusionsleistung und hilft so, eine reine Wachstumsumgebung aufrechtzuerhalten.

Wir sind bestrebt, unseren Kunden hervorragende Materialien aus porösem Graphit mit TaC-Beschichtung anzubieten, um den Anforderungen der Halbleiterfertigungsindustrie gerecht zu werden. Ob in Forschungslaboren oder in der industriellen Produktion, dieses fortschrittliche Material kann Ihnen dabei helfen, hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit zu erreichen. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über dieses revolutionäre Material zu erfahren und Ihre Innovationsreise zur Förderung der Halbleiterfertigung zu beginnen.

PVT-Methode SiC-Kristallwachstum

Produktparameter des porösen Graphits mit TaC-Beschichtung

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Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie: