TaC-beschichteter Führungsring
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TaC-beschichteter Führungsring

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von TaC-beschichteten Führungsringen in China. Wir sind seit vielen Jahren auf Keramikbeschichtungen spezialisiert. TaC-beschichtete Führungsringe werden hauptsächlich zur Führung und Steuerung des Luftstroms verwendet, um die Ausbeute des Einkristallwachstums zu steigern. Gerne können Sie uns für weitere Informationen anfragen.

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Produktbeschreibung

Der hochwertige TaC-beschichtete Führungsring wird vom chinesischen Hersteller VeTek Semiconductor angeboten. Kaufen Sie einen TaC-beschichteten Führungsring, der direkt von hoher Qualität und zu einem niedrigen Preis ist.


Leistung und Merkmale des TaC-beschichteten Führungsrings von VeTek Semiconductor:

Hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Dichte und hohe Kompaktheit; ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit.

Hohe Reinheit mit einem Verunreinigungsgehalt von <5 ppm.

Chemisch inert gegenüber Ammoniak- und Wasserstoffgasen bei hohen Temperaturen; ausgezeichnete thermische Stabilität.


Leistung und Merkmale des TaC-beschichteten Führungsrings von VeTek Semiconductor:

Kristallwachstum.

Epitaxiereaktoren aus Siliziumkarbid.

Gasturbinenschaufeln.

Hochtemperatur- und oxidationsbeständige Düsen.


Produktbeschreibung:

Die TaC-Beschichtung ist ein Hochtemperaturmaterial der nächsten Generation, das im Vergleich zu SiC eine überlegene thermische Stabilität aufweist. Es dient als korrosionsbeständige, oxidationsbeständige und verschleißfeste Beschichtung, die Umgebungen über 2000 °C standhält. Weit verbreitet in der Luft- und Raumfahrt für Ultrahochtemperaturkomponenten sowie in der Halbleiter-Einkristallzüchtung der dritten Generation und anderen Bereichen.

Neben TaC-beschichteten Graphitrohren liefert VeTek Semiconductor auch TaC-beschichtete Ringe, TaC-beschichtete Tiegel, TaC-beschichtetes poröses Graphit, TaC-beschichteter Graphitsuszeptor, TaC-beschichteter Führungsring, TaC-Tantalcarbid-beschichtete Platte, TaC-Beschichtungsring, TaC-beschichtete Graphitabdeckung, TaC-beschichtete Stück für Kristallwachstumsofen wie unten:



PVT-Methode SiC-Kristallwachstum


Produktparameter des TaC-beschichteten Führungsrings

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1×10-5 Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Graphitgrößenänderungen -10~-20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um±10um)


VeTek Semiconductor Production Shop


Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:


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