CVD-TAC-Beschichtung
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CVD-TAC-Beschichtung

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller, Innovator und Marktführer für CVD-TAC-Beschichtung in China. Seit vielen Jahren konzentrieren wir uns auf verschiedene CVD-TAC-Beschichtungsprodukte wie CVD-TaC-Beschichtungsabdeckung, CVD-TaC-Beschichtungsring, CVD-TaC-Beschichtungsträger usw. VeTek Semiconductor unterstützt maßgeschneiderte Produktdienstleistungen und zufriedenstellende Produktpreise und freut sich auf Ihre weitere Zusammenarbeit Beratung.

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Produktbeschreibung

Die CVD-TaC-Beschichtung (chemische Gasphasenabscheidung von Tantalkarbid) ist ein Beschichtungsprodukt, das hauptsächlich aus Tantalkarbid (TaC) besteht. Die TaC-Beschichtung verfügt über eine extrem hohe Härte, Verschleißfestigkeit und hohe Temperaturbeständigkeit, was sie zur idealen Wahl für den Schutz wichtiger Anlagenkomponenten und die Verbesserung der Prozesszuverlässigkeit macht. Es ist ein unverzichtbares Material in der Halbleiterverarbeitung.

CVD-TaC-Beschichtungsprodukte werden üblicherweise in Reaktionskammern, Waferträgern und Ätzgeräten verwendet und spielen darin die folgenden Schlüsselrollen.

CVD-TaC-Beschichtung wird häufig für interne Komponenten von Reaktionskammern wie Substrate, Wandpaneele und Heizelemente verwendet. In Kombination mit seiner hervorragenden Hochtemperaturbeständigkeit kann es der Erosion durch hohe Temperaturen, korrosive Gase und Plasma wirksam widerstehen, wodurch die Lebensdauer der Ausrüstung effektiv verlängert und die Stabilität des Prozesses und die Reinheit der Produktproduktion sichergestellt werden.

Darüber hinaus weisen TaC-beschichtete Waferträger (wie Quarzschiffchen, Vorrichtungen usw.) auch eine hervorragende Hitzebeständigkeit und chemische Korrosionsbeständigkeit auf. Der Waferträger kann den Wafer bei hohen Temperaturen zuverlässig stützen, eine Kontamination und Verformung des Wafers verhindern und so die gesamte Chipausbeute verbessern.

Darüber hinaus wird die TaC-Beschichtung von VeTek Semiconductor auch häufig in verschiedenen Ätz- und Dünnfilmabscheidungsgeräten wie Plasmaätzern, chemischen Gasphasenabscheidungssystemen usw. verwendet. In diesen Verarbeitungssystemen kann die CVD-TAC-Beschichtung hochenergetischem Ionenbeschuss und starken chemischen Reaktionen standhalten Dadurch wird die Genauigkeit und Wiederholbarkeit des Prozesses sichergestellt.

Was auch immer Ihre spezifischen Anforderungen sind, wir finden für Sie die beste Lösung für Ihre CVD-TAC-Beschichtung und freuen uns jederzeit auf Ihre Beratung.


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-TAC-Beschichtung:

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1×10-5 Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Graphitgrößenänderungen -10~-20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um±10um)


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Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:


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