Epi-Waferhalter

Das Funktionsprinzip des Epi-Wafer-Halters besteht darin, den Wafer während des Epitaxieprozesses zu halten, um sicherzustellen, dass derWaferbefindet sich in einer präzisen Temperatur- und Gasströmungsumgebung, sodass das Epitaxiematerial gleichmäßig auf der Waferoberfläche abgeschieden werden kann. Unter Hochtemperaturbedingungen kann dieses Produkt den Wafer fest in der Reaktionskammer fixieren und gleichzeitig Probleme wie Kratzer und Partikelkontamination auf der Waferoberfläche vermeiden.

Der Epi-Wafer-Halter besteht normalerweise ausSiliziumkarbid (SiC). SiC hat einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten von etwa 4,0 x 10^^-6/°C, was dazu beiträgt, die Dimensionsstabilität des Halters bei hohen Temperaturen aufrechtzuerhalten und Waferstress durch Wärmeausdehnung zu vermeiden. In Kombination mit seiner hervorragenden Hochtemperaturstabilität (hält hohen Temperaturen von 1.200 °C bis 1.600 °C stand), Korrosionsbeständigkeit und Wärmeleitfähigkeit (die Wärmeleitfähigkeit beträgt normalerweise 120–160 W/mK) ist SiC ein ideales Material für epitaktische Waferhalter .

Der Epi-Wafer-Halter spielt eine wichtige Rolle im Epitaxieprozess. Seine Hauptfunktion besteht darin, einen stabilen Träger in einer Umgebung mit hohen Temperaturen und korrosiven Gasen bereitzustellen, um sicherzustellen, dass der Wafer während des Transports nicht beeinträchtigt wirdepitaktischer Wachstumsprozessund sorgt gleichzeitig für ein gleichmäßiges Wachstum der Epitaxieschicht.Konkret wie folgt:

Waferfixierung und präzise Ausrichtung: Der hochpräzise Epi-Waferhalter fixiert den Wafer fest in der geometrischen Mitte der Reaktionskammer, um sicherzustellen, dass die Waferoberfläche den besten Kontaktwinkel mit dem Reaktionsgasstrom bildet. Diese präzise Ausrichtung gewährleistet nicht nur die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschichtabscheidung, sondern reduziert auch wirksam die Spannungskonzentration, die durch Abweichungen in der Waferposition verursacht wird.

Gleichmäßige Erwärmung und thermische Feldsteuerung: Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid (SiC)-Material (die Wärmeleitfähigkeit beträgt normalerweise 120–160 W/mK) sorgt für eine effiziente Wärmeübertragung für Wafer in epitaktischen Hochtemperaturumgebungen. Gleichzeitig wird die Temperaturverteilung des Heizsystems fein gesteuert, um eine gleichmäßige Temperatur über die gesamte Waferoberfläche sicherzustellen. Dadurch werden thermische Spannungen durch zu hohe Temperaturgradienten wirksam vermieden und die Wahrscheinlichkeit von Defekten wie Waferverwerfungen und Rissen deutlich reduziert.

Partikelkontaminationskontrolle und Materialreinheit: Durch die Verwendung von hochreinen SiC-Substraten und CVD-beschichteten Graphitmaterialien wird die Entstehung und Diffusion von Partikeln während des Epitaxieprozesses erheblich reduziert. Diese hochreinen Materialien bieten nicht nur eine saubere Umgebung für das Wachstum der Epitaxieschicht, sondern tragen auch dazu bei, Grenzflächendefekte zu reduzieren und dadurch die Qualität und Zuverlässigkeit der Epitaxieschicht zu verbessern.

Korrosionsbeständigkeit: Der Halter muss den darin verwendeten korrosiven Gasen (wie Ammoniak, Trimethylgallium usw.) standhaltenMOCVDoder LPCVD-Verfahren, sodass die hervorragende Korrosionsbeständigkeit von SiC-Materialien dazu beiträgt, die Lebensdauer der Halterung zu verlängern und die Zuverlässigkeit des Produktionsprozesses sicherzustellen.

VeTek Semiconductor unterstützt maßgeschneiderte Produktdienstleistungen, sodass Epi Wafer Holder Ihnen maßgeschneiderte Produktdienstleistungen basierend auf der Größe des Wafers (100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm usw.) anbieten kann. Wir hoffen aufrichtig, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.

REM-DATEN DER CVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung：

VeTek Semiconductor Epi Waferhalter Produktionsstätten: