LPE SiC EPI Halbmond
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LPE SiC EPI Halbmond

LPE SiC Epi Halfmoon von VeTek Semiconductor, ein revolutionäres Produkt, das entwickelt wurde, um die SiC-Epitaxieprozesse im LPE-Reaktor zu verbessern. Diese hochmoderne Lösung verfügt über mehrere Schlüsselfunktionen, die eine überragende Leistung und Effizienz in Ihren gesamten Fertigungsabläufen gewährleisten. Wir freuen uns auf eine langfristige Zusammenarbeit mit Ihnen.

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Produktbeschreibung

Als professioneller Hersteller möchte VeTek Semiconductor Ihnen hochwertige LPE SiC Epi Halfmoon anbieten.

LPE SiC Epi Halfmoon von VeTek Semiconductor, ein revolutionäres Produkt, das entwickelt wurde, um die SiC-Epitaxieprozesse im LPE-Reaktor zu verbessern. Diese hochmoderne Lösung verfügt über mehrere Schlüsselfunktionen, die eine überragende Leistung und Effizienz in Ihren gesamten Fertigungsabläufen gewährleisten.

Der LPE SiC Epi Halfmoon bietet außergewöhnliche Präzision und Genauigkeit und garantiert ein gleichmäßiges Wachstum und hochwertige Epitaxieschichten. Sein innovatives Design und fortschrittliche Fertigungstechniken sorgen für optimale Waferunterstützung und Wärmemanagement, liefern konsistente Ergebnisse und minimieren Fehler.

Darüber hinaus ist der LPE SiC Epi Halfmoon mit einer hochwertigen Tantalcarbid (TaC)-Schicht beschichtet, was seine Leistung und Haltbarkeit verbessert. Diese TaC-Beschichtung verbessert die Wärmeleitfähigkeit, chemische Beständigkeit und Verschleißfestigkeit erheblich, schützt das Produkt und verlängert seine Lebensdauer.

Die Integration der TaC-Beschichtung in den LPE SiC Epi Halfmoon bringt erhebliche Verbesserungen für Ihren Prozessablauf. Es verbessert das Wärmemanagement, sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und sorgt für eine stabile Wachstumstemperatur. Diese Verbesserung führt zu einer verbesserten Prozessstabilität, einer geringeren thermischen Belastung und einer verbesserten Gesamtausbeute.

Darüber hinaus minimiert die TaC-Beschichtung die Materialverunreinigung und sorgt so für mehr Sauberkeit

kontrollierter Epitaxieprozess. Es fungiert als Barriere gegen unerwünschte Reaktionen und Verunreinigungen, was zu epitaktischen Schichten mit höherer Reinheit und einer verbesserten Geräteleistung führt.

Wählen Sie den LPE SiC Epi Halfmoon von VeTek Semiconductor für konkurrenzlose Epitaxieprozesse. Erleben Sie die Vorteile des fortschrittlichen Designs, der Präzision und der transformativen Kraft der TaC-Beschichtung bei der Optimierung Ihrer Fertigungsabläufe. Steigern Sie Ihre Leistung und erzielen Sie außergewöhnliche Ergebnisse mit der branchenführenden Lösung von VeTek Semiconductor.


Produktparameter des LPE SiC Epi Halfmoon:

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1×10-5 Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Graphitgrößenänderungen -10~-20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um±10um)


VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt


Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:


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