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SiC-Beschichtung der Innensegmente
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SiC-Beschichtung der Innensegmente

Bei VeTek Semiconductor sind wir auf die Forschung, Entwicklung und Industrialisierung von CVD-SiC-Beschichtungen und CVD-TaC-Beschichtungen spezialisiert. Ein beispielhaftes Produkt ist das SiC Coating Cover Segments Inner, das einer umfangreichen Bearbeitung unterzogen wird, um eine hochpräzise und dicht beschichtete CVD-SiC-Oberfläche zu erzielen. Diese Beschichtung weist eine außergewöhnliche Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen auf und bietet einen robusten Korrosionsschutz. Bei Fragen können Sie uns gerne kontaktieren.

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Produktbeschreibung

Hochwertige SiC-Beschichtungs-Abdeckungssegmente innen werden vom chinesischen Hersteller VeTek Semicondutor angeboten. Kaufen Sie SiC-Beschichtungs-Abdecksegmente (innen), die von hoher Qualität sind, direkt zu einem niedrigen Preis.

VeTek Semiconductor SiC Coating Cover Segments (Inner) Produkte sind wesentliche Komponenten, die in fortschrittlichen Halbleiterfertigungsprozessen für das Aixtron MOCVD-System verwendet werden.

Hier ist eine integrierte Beschreibung, die die Anwendung und Vorteile des Produkts hervorhebt:

Unsere 14 x 4 Zoll großen kompletten SiC-Beschichtungsabdeckungssegmente (innen) bieten die folgenden Vorteile und Anwendungsszenarien bei der Verwendung in Aixtron-Geräten:

Perfekte Passform: Diese Abdeckungssegmente sind präzise entworfen und hergestellt, um nahtlos in Aixtron-Geräte zu passen und eine stabile und zuverlässige Leistung zu gewährleisten.

Hochreines Material: Die Abdeckungssegmente bestehen aus hochreinen Materialien, um die strengen Reinheitsanforderungen von Halbleiterfertigungsprozessen zu erfüllen.

Hochtemperaturbeständigkeit: Die Abdeckungssegmente weisen eine hervorragende Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen auf und behalten ihre Stabilität ohne Verformung oder Beschädigung unter Prozessbedingungen bei hohen Temperaturen.

Hervorragende chemische Inertheit: Dank ihrer außergewöhnlichen chemischen Inertheit widerstehen diese Abdeckungssegmente chemischer Korrosion und Oxidation, bilden eine zuverlässige Schutzschicht und verlängern ihre Leistung und Lebensdauer.

Flache Oberfläche und präzise Bearbeitung: Die Abdeckungssegmente zeichnen sich durch eine glatte und gleichmäßige Oberfläche aus, die durch präzise Bearbeitung erreicht wird. Dies gewährleistet eine hervorragende Kompatibilität mit anderen Komponenten in Aixtron-Geräten und sorgt für eine optimale Prozessleistung.

Durch die Integration unserer 14 x 4 Zoll großen kompletten Innenabdeckungssegmente in Aixtron-Geräte können hochwertige Halbleiter-Dünnschicht-Wachstumsprozesse erreicht werden. Diese Abdeckungssegmente spielen eine entscheidende Rolle bei der Bereitstellung einer stabilen und zuverlässigen Grundlage für das Dünnschichtwachstum.

Wir sind bestrebt, qualitativ hochwertige Produkte zu liefern, die sich nahtlos in Aixtron-Geräte integrieren lassen. Ganz gleich, ob es um Prozessoptimierung oder die Entwicklung neuer Produkte geht, wir sind für Sie da, um Ihnen technischen Support zu bieten und alle Ihre Fragen zu beantworten.


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte 3,21 g/cm³
Härte 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung 2~10μm
Chemische Reinheit 99,99995 %
Wärmekapazität 640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur 2700℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit 300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5×10-6K-1


Industriekette:


Produktionswerkstatt


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