MOCVD-SiC-Beschichtungssuszeptor

Der VeTek Semiconductor MOCVD-SiC-Beschichtungssuszeptor ist aus hochwertigem Material gefertigtGraphit, das aufgrund seiner thermischen Stabilität und hervorragenden Wärmeleitfähigkeit (ca. 120–150 W/m·K) ausgewählt wird. Die inhärenten Eigenschaften von Graphit machen es zu einem idealen Material, um den rauen Bedingungen im Inneren standzuhaltenMOCVD-Reaktoren. Um seine Leistung zu verbessern und seine Lebensdauer zu verlängern, ist der Graphitsuszeptor sorgfältig mit einer Schicht aus Siliziumkarbid (SiC) beschichtet.

Der MOCVD-SiC-Beschichtungssuszeptor ist eine Schlüsselkomponente, die in verwendet wirdchemische Gasphasenabscheidung (CVD)UndVerfahren zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD).. Seine Hauptfunktion besteht darin, Wafer aus Silizium oder Siliziumkarbid (SiC) zu stützen und zu erhitzen und eine gleichmäßige Gasabscheidung in einer Umgebung mit hohen Temperaturen sicherzustellen. Es ist ein unverzichtbares Produkt in der Halbleiterverarbeitung.

Anwendungen des MOCVD-SiC-Beschichtungssuszeptors in der Halbleiterverarbeitung:

Waferunterstützung und -heizung:

Der MOCVD-SiC-Beschichtungssuszeptor hat nicht nur eine leistungsstarke Stützfunktion, sondern kann ihn auch effektiv erwärmenWafergleichmäßig, um die Stabilität des chemischen Gasphasenabscheidungsprozesses zu gewährleisten. Während des Abscheidungsprozesses kann die hohe Wärmeleitfähigkeit der SiC-Beschichtung Wärmeenergie schnell auf jeden Bereich des Wafers übertragen, wodurch lokale Überhitzung oder unzureichende Temperatur vermieden werden und so sichergestellt wird, dass das chemische Gas gleichmäßig auf der Waferoberfläche abgeschieden werden kann. Dieser gleichmäßige Erwärmungs- und Abscheidungseffekt verbessert die Konsistenz der Waferverarbeitung erheblich, sorgt für eine gleichmäßige Oberflächenfilmdicke jedes Wafers und verringert die Fehlerrate, wodurch die Produktionsausbeute und die Leistungszuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen weiter verbessert werden.

Epitaxiewachstum:

ImMOCVD-ProzessSiC-beschichtete Träger sind Schlüsselkomponenten im Epitaxie-Wachstumsprozess. Sie werden speziell zur Unterstützung und Erwärmung von Silizium- und Siliziumkarbid-Wafern eingesetzt und stellen sicher, dass Materialien in der chemischen Dampfphase gleichmäßig und präzise auf der Waferoberfläche abgeschieden werden können, wodurch hochwertige, fehlerfreie Dünnschichtstrukturen entstehen. SiC-Beschichtungen sind nicht nur beständig gegen hohe Temperaturen, sondern bewahren auch die chemische Stabilität in komplexen Prozessumgebungen, um Verunreinigungen und Korrosion zu vermeiden. Daher spielen SiC-beschichtete Träger eine entscheidende Rolle im epitaktischen Wachstumsprozess hochpräziser Halbleiterbauelemente wie SiC-Leistungsbauelemente (wie SiC-MOSFETs und -Dioden), LEDs (insbesondere blaue und ultraviolette LEDs) und photovoltaische Solarzellen.

Galliumnitrid (GaN)und Galliumarsenid (GaAs)-Epitaxie:

SiC-beschichtete Träger sind aufgrund ihrer hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und ihres niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten eine unverzichtbare Wahl für das Wachstum epitaktischer GaN- und GaAs-Schichten. Ihre effiziente Wärmeleitfähigkeit kann die Wärme während des epitaktischen Wachstums gleichmäßig verteilen und so sicherstellen, dass jede Schicht abgeschiedenen Materials bei kontrollierter Temperatur gleichmäßig wachsen kann. Gleichzeitig bleibt SiC aufgrund seiner geringen Wärmeausdehnung auch bei extremen Temperaturschwankungen formstabil, was das Risiko einer Waferverformung wirksam reduziert und so die hohe Qualität und Konsistenz der Epitaxieschicht gewährleistet. Diese Eigenschaft macht SiC-beschichtete Träger zu einer idealen Wahl für die Herstellung hochfrequenter, leistungsstarker elektronischer Geräte (z. B. GaN-HEMT-Geräte) sowie optischer Kommunikations- und optoelektronischer Geräte (z. B. GaAs-basierte Laser und Detektoren).

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