China MOCVD-Technologie Hersteller, Lieferant, Fabrik

VeTek Semiconductor verfügt über Vorteile und Erfahrung mit Ersatzteilen der MOCVD-Technologie.

MOCVD, der vollständige Name für Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (metallorganische chemische Gasphasenabscheidung), kann auch als metallorganische Gasphasenepitaxie bezeichnet werden. Organometallische Verbindungen sind eine Klasse von Verbindungen mit Metall-Kohlenstoff-Bindungen. Diese Verbindungen enthalten mindestens eine chemische Bindung zwischen einem Metall und einem Kohlenstoffatom. Metallorganische Verbindungen werden häufig als Vorläufer verwendet und können durch verschiedene Abscheidungstechniken dünne Filme oder Nanostrukturen auf dem Substrat bilden.

Die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD-Technologie) ist eine gängige epitaktische Wachstumstechnologie. Die MOCVD-Technologie wird häufig bei der Herstellung von Halbleiterlasern und LEDs eingesetzt. Insbesondere bei der Herstellung von LEDs ist MOCVD eine Schlüsseltechnologie für die Herstellung von Galliumnitrid (GaN) und verwandten Materialien.

Es gibt zwei Hauptformen der Epitaxie: Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Dampfphasenepitaxie (VPE). Die Gasphasenepitaxie kann weiter in metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) unterteilt werden.

Ausländische Gerätehersteller werden hauptsächlich von Aixtron und Veeco vertreten. Das MOCVD-System ist eine der Schlüsselausrüstungen für die Herstellung von Lasern, LEDs, fotoelektrischen Komponenten, Stromversorgung, HF-Geräten und Solarzellen.

Hauptmerkmale der von unserem Unternehmen hergestellten MOCVD-Technologie-Ersatzteile:

1) Hohe Dichte und vollständige Einkapselung: Die Graphitbasis als Ganzes befindet sich in einer Arbeitsumgebung mit hohen Temperaturen und Korrosion, die Oberfläche muss vollständig umhüllt sein und die Beschichtung muss eine gute Verdichtung aufweisen, um eine gute Schutzfunktion zu erfüllen.

2) Gute Oberflächenebenheit: Da die für das Einkristallwachstum verwendete Graphitbasis eine sehr hohe Oberflächenebenheit erfordert, sollte die ursprüngliche Ebenheit der Basis nach der Vorbereitung der Beschichtung beibehalten werden, d. h. die Beschichtungsschicht muss gleichmäßig sein.

3) Gute Haftfestigkeit: Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen der Graphitbasis und dem Beschichtungsmaterial, wodurch die Haftfestigkeit zwischen beiden effektiv verbessert werden kann und die Beschichtung nach Hitzeeinwirkung bei hohen und niedrigen Temperaturen nicht leicht reißt Zyklus.

4) Hohe Wärmeleitfähigkeit: Für ein qualitativ hochwertiges Spanwachstum muss die Graphitbasis eine schnelle und gleichmäßige Wärme liefern, daher sollte das Beschichtungsmaterial eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen.

5) Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit: Die Beschichtung sollte in der Lage sein, bei hohen Temperaturen und in korrosiven Arbeitsumgebungen stabil zu arbeiten.

Platzieren Sie 4 Zoll Substrat
Blaugrüne Epitaxie für das Wachstum von LED
Untergebracht in der Reaktionskammer
Direkter Kontakt mit dem Wafer Platzieren Sie 4 Zoll Substrat
Wird zum Wachsen von UV-LED-Epitaxiefilmen verwendet
Untergebracht in der Reaktionskammer
Direkter Kontakt mit dem Wafer Veeco K868/Veeco K700 Maschine
Weiße LED-Epitaxie/Blaugrüne LED-Epitaxie Wird in VEECO-Geräten verwendet
Für MOCVD-Epitaxie
Suszeptor mit SiC-Beschichtung Aixtron TS-Ausrüstung
Tiefe Ultraviolett-Epitaxie
2-Zoll-Substrat Veeco-Ausrüstung
Rot-Gelbe LED-Epitaxie
4-Zoll-Wafer-Substrat TaC-beschichteter Suszeptor
(SiC Epi/UV-LED-Empfänger) SiC-beschichteter Suszeptor
(ALD/Si Epi/LED MOCVD Suszeptor)

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SiC-beschichteter Stützring

VeTek Semiconductor ist ein professioneller chinesischer Hersteller und Lieferant, der hauptsächlich SiC-beschichtete Stützringe, CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtungen, Tantalkarbid (TaC)-Beschichtungen, SiC-Massen, SiC-Pulver und hochreine SiC-Materialien herstellt. Wir sind bestrebt, perfekten technischen Support und ultimative Produktlösungen für die Halbleiterindustrie zu bieten. Nehmen Sie gerne Kontakt mit uns auf.

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Suszeptor mit SiC-Beschichtung

Vetek Semiconductor konzentriert sich auf die Forschung und Entwicklung sowie die Industrialisierung von CVD-SiC-Beschichtungen und CVD-TaC-Beschichtungen. Am Beispiel des SiC-Beschichtungssuszeptors wird das Produkt mit hoher Präzision, dichter CVD-SIC-Beschichtung, hoher Temperaturbeständigkeit und starker Korrosionsbeständigkeit hochverarbeitet. Eine Anfrage an uns ist willkommen.

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SiC-Beschichtungsset Disc

VeTek Semiconductor, ein führender Hersteller von CVD-SiC-Beschichtungen, bietet SiC-Beschichtungssatzscheiben in Aixtron MOCVD-Reaktoren an. Diese SiC-Beschichtungssatzscheiben werden aus hochreinem Graphit hergestellt und verfügen über eine CVD-SiC-Beschichtung mit Verunreinigungen unter 5 ppm. Wir freuen uns über Anfragen zu diesem Produkt.

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SiC-Beschichtungssammelzentrum

VeTek Semiconductor, ein renommierter Hersteller von CVD-SiC-Beschichtungen, bietet Ihnen das hochmoderne SiC-Beschichtungskollektorzentrum im Aixtron G5 MOCVD-System. Diese SiC-Beschichtungs-Kollektorzentren wurden sorgfältig aus hochreinem Graphit entwickelt und verfügen über eine fortschrittliche CVD-SiC-Beschichtung, die hohe Temperaturstabilität, Korrosionsbeständigkeit und hohe Reinheit gewährleistet. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen!

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Kollektoroberseite mit SiC-Beschichtung

Willkommen bei VeTek Semiconductor, Ihrem vertrauenswürdigen Hersteller von CVD-SiC-Beschichtungen. Wir sind stolz darauf, Aixtron SiC Coating Collector Top anbieten zu können, die fachmännisch aus hochreinem Graphit hergestellt werden und über eine hochmoderne CVD-SiC-Beschichtung mit Verunreinigungen unter 5 ppm verfügen. Bitte zögern Sie nicht, uns bei Fragen oder Anfragen zu kontaktieren

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Kollektorboden mit SiC-Beschichtung

Mit unserer Expertise in der CVD-SiC-Beschichtungsherstellung präsentiert VeTek Semiconductor stolz den Aixtron SiC Coating Collector Bottom. Dieser SiC-beschichtete Kollektorboden besteht aus hochreinem Graphit und ist mit CVD-SiC beschichtet, wodurch eine Verunreinigung unter 5 ppm gewährleistet wird. Für weitere Informationen und Anfragen können Sie sich gerne an uns wenden.

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