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China MOCVD-Technologie Hersteller, Lieferant, Fabrik

VeTek Semiconductor verfügt über Vorteile und Erfahrung mit Ersatzteilen der MOCVD-Technologie.

MOCVD, der vollständige Name für Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (metallorganische chemische Gasphasenabscheidung), kann auch als metallorganische Gasphasenepitaxie bezeichnet werden. Organometallische Verbindungen sind eine Klasse von Verbindungen mit Metall-Kohlenstoff-Bindungen. Diese Verbindungen enthalten mindestens eine chemische Bindung zwischen einem Metall und einem Kohlenstoffatom. Metallorganische Verbindungen werden häufig als Vorläufer verwendet und können durch verschiedene Abscheidungstechniken dünne Filme oder Nanostrukturen auf dem Substrat bilden.

Die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD-Technologie) ist eine gängige epitaktische Wachstumstechnologie. Die MOCVD-Technologie wird häufig bei der Herstellung von Halbleiterlasern und LEDs eingesetzt. Insbesondere bei der Herstellung von LEDs ist MOCVD eine Schlüsseltechnologie für die Herstellung von Galliumnitrid (GaN) und verwandten Materialien.

Es gibt zwei Hauptformen der Epitaxie: Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Dampfphasenepitaxie (VPE). Die Gasphasenepitaxie kann weiter in metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) unterteilt werden.

Ausländische Gerätehersteller werden hauptsächlich von Aixtron und Veeco vertreten. Das MOCVD-System ist eine der Schlüsselausrüstungen für die Herstellung von Lasern, LEDs, fotoelektrischen Komponenten, Stromversorgung, HF-Geräten und Solarzellen.

Hauptmerkmale der von unserem Unternehmen hergestellten MOCVD-Technologie-Ersatzteile:

1) Hohe Dichte und vollständige Einkapselung: Die Graphitbasis als Ganzes befindet sich in einer Arbeitsumgebung mit hohen Temperaturen und Korrosion, die Oberfläche muss vollständig umhüllt sein und die Beschichtung muss eine gute Verdichtung aufweisen, um eine gute Schutzfunktion zu erfüllen.

2) Gute Oberflächenebenheit: Da die für das Einkristallwachstum verwendete Graphitbasis eine sehr hohe Oberflächenebenheit erfordert, sollte die ursprüngliche Ebenheit der Basis nach der Vorbereitung der Beschichtung beibehalten werden, d. h. die Beschichtungsschicht muss gleichmäßig sein.

3) Gute Haftfestigkeit: Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen der Graphitbasis und dem Beschichtungsmaterial, wodurch die Haftfestigkeit zwischen beiden effektiv verbessert werden kann und die Beschichtung nach Hitzeeinwirkung bei hohen und niedrigen Temperaturen nicht leicht reißt Zyklus.

4) Hohe Wärmeleitfähigkeit: Für ein qualitativ hochwertiges Spanwachstum muss die Graphitbasis eine schnelle und gleichmäßige Wärme liefern, daher sollte das Beschichtungsmaterial eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen.

5) Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit: Die Beschichtung sollte in der Lage sein, bei hohen Temperaturen und in korrosiven Arbeitsumgebungen stabil zu arbeiten.



Platzieren Sie 4 Zoll Substrat
Blaugrüne Epitaxie für das Wachstum von LED
Untergebracht in der Reaktionskammer
Direkter Kontakt mit dem Wafer
Platzieren Sie 4 Zoll Substrat
Wird zum Wachsen von UV-LED-Epitaxiefilmen verwendet
Untergebracht in der Reaktionskammer
Direkter Kontakt mit dem Wafer
Veeco K868/Veeco K700 Maschine
Weiße LED-Epitaxie/Blaugrüne LED-Epitaxie
Wird in VEECO-Geräten verwendet
Für MOCVD-Epitaxie
Suszeptor mit SiC-Beschichtung
Aixtron TS-Ausrüstung
Tiefe Ultraviolett-Epitaxie
2-Zoll-Substrat
Veeco-Ausrüstung
Rot-Gelbe LED-Epitaxie
4-Zoll-Wafer-Substrat
TaC-beschichteter Suszeptor
(SiC Epi/UV-LED-Empfänger)
SiC-beschichteter Suszeptor
(ALD/Si Epi/LED MOCVD Suszeptor)


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SiC-Beschichtung der Innensegmente

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Bei VeTek Semiconductor sind wir auf die Forschung, Entwicklung und Industrialisierung von CVD-SiC-Beschichtungen und CVD-TaC-Beschichtungen spezialisiert. Ein beispielhaftes Produkt ist das SiC Coating Cover Segments Inner, das einer umfangreichen Bearbeitung unterzogen wird, um eine hochpräzise und dicht beschichtete CVD-SiC-Oberfläche zu erzielen. Diese Beschichtung weist eine außergewöhnliche Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen auf und bietet einen robusten Korrosionsschutz. Bei Fragen können Sie uns gerne kontaktieren.

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Abdeckungssegmente mit SiC-Beschichtung

Abdeckungssegmente mit SiC-Beschichtung

Vetek Semiconductor widmet sich der Weiterentwicklung und Kommerzialisierung der CVD-SiC-Beschichtung und der CVD-TaC-Beschichtung. Beispielsweise werden unsere SiC-Beschichtungs-Abdecksegmente einer sorgfältigen Verarbeitung unterzogen, was zu einer dichten CVD-SiC-Beschichtung mit außergewöhnlicher Präzision führt. Es weist eine bemerkenswerte Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen auf und bietet einen robusten Korrosionsschutz. Wir freuen uns über Ihre Anfragen.

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MOCVD-Akzeptor

MOCVD-Akzeptor

Vetek Semiconductor konzentriert sich auf die Forschung und Entwicklung sowie die Industrialisierung von CVD-SiC-Beschichtungen und CVD-TaC-Beschichtungen. Am Beispiel des MOCVD-Suszeptors zeichnet sich das Produkt durch eine hochpräzise Verarbeitung, eine dichte CVD-SIC-Beschichtung, eine hohe Temperaturbeständigkeit und eine starke Korrosionsbeständigkeit aus. Eine Anfrage an uns ist willkommen.

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MOCVD-Epitaxialsuszeptor für 4-Zoll-Wafer

MOCVD-Epitaxialsuszeptor für 4-Zoll-Wafer

VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant, der sich der Bereitstellung hochwertiger MOCVD-Epitaxialsuszeptoren für 4-Zoll-Wafer verschrieben hat. Mit umfassender Branchenerfahrung und einem professionellen Team sind wir in der Lage, unseren Kunden kompetente und effiziente Lösungen zu liefern.

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Halbleiter-Suszeptorblock mit SiC-Beschichtung

Halbleiter-Suszeptorblock mit SiC-Beschichtung

Der SiC-beschichtete Halbleiter-Suszeptorblock von VeTek Semiconductor ist ein äußerst zuverlässiges und langlebiges Gerät. Es ist so konzipiert, dass es hohen Temperaturen und rauen chemischen Umgebungen standhält und gleichzeitig eine stabile Leistung und eine lange Lebensdauer gewährleistet. Dank seiner hervorragenden Prozessfähigkeiten reduziert der SiC-beschichtete Halbleiter-Suszeptorblock die Häufigkeit von Austausch und Wartung und verbessert so die Produktionseffizienz. Wir freuen uns auf die Gelegenheit, mit Ihnen zusammenzuarbeiten.

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SiC-beschichteter MOCVD-Suszeptor

SiC-beschichteter MOCVD-Suszeptor

Der SiC-beschichtete MOCVD-Suszeptor von VeTek Semiconductor ist ein Gerät mit ausgezeichnetem Prozess, Haltbarkeit und Zuverlässigkeit. Sie halten hohen Temperaturen und chemischen Umgebungen stand, behalten eine stabile Leistung und eine lange Lebensdauer bei, wodurch die Häufigkeit von Austausch und Wartung verringert und die Produktionseffizienz verbessert wird. Unser MOCVD-Epitaxie-Suszeptor ist bekannt für seine hohe Dichte, hervorragende Ebenheit und hervorragende Wärmekontrolle und ist daher die bevorzugte Ausrüstung in rauen Fertigungsumgebungen. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.

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Als professioneller MOCVD-Technologie Hersteller und Lieferant in China verfügen wir über eine eigene Fabrik. Egal, ob Sie maßgeschneiderte Dienstleistungen benötigen, um den spezifischen Anforderungen Ihrer Region gerecht zu werden, oder fortschrittliche und langlebige Produkte aus China kaufen möchten, Sie können uns eine Nachricht hinterlassen.
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