SiC-beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Graphit-Suszeptoren für MOCVD in China und ist auf SiC-Beschichtungsanwendungen und epitaktische Halbleiterprodukte für die Halbleiterindustrie spezialisiert. Unsere mit MOCVD SiC beschichteten Graphitsuszeptoren bieten wettbewerbsfähige Qualität und Preise und beliefern Märkte in ganz Europa und Amerika. Wir sind bestrebt, Ihr langfristiger, vertrauenswürdiger Partner bei der Weiterentwicklung der Halbleiterfertigung zu werden.

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Produktbeschreibung

Der SiC-beschichtete Graphit-Suszeptor von VeTek Semiconductor für MOCVD ist ein hochreiner SiC-beschichteter Graphitträger, der speziell für das epitaktische Schichtwachstum auf Wafer-Chips entwickelt wurde. Als zentrale Komponente in der MOCVD-Bearbeitung, typischerweise in Form eines Zahnrads oder Rings, zeichnet es sich durch außergewöhnliche Hitzebeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit aus und gewährleistet Stabilität in extremen Umgebungen.

Hauptmerkmale des MOCVD SiC-beschichteten Graphitsuszeptors:

● Abplatzbeständige Beschichtung: Gewährleistet eine gleichmäßige Abdeckung der SiC-Beschichtung auf allen Oberflächen und verringert so das Risiko der Partikelablösung

● Ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturence: Bleibt bei Temperaturen bis zu 1600 °C stabil

● Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung, geeignet für Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen

● Überlegene Korrosionsbeständigkeit: Sehr beständig gegen Säuren, Laugen, Salze und organische Reagenzien

● Optimiertes laminares Luftstrommuster: Verbessert die Gleichmäßigkeit der Luftstromdynamik

● Gleichmäßige Wärmeverteilung: Sorgt für eine stabile Wärmeverteilung bei Hochtemperaturprozessen

● Kontaminationsprävention: Verhindert die Diffusion von Verunreinigungen oder Unreinheiten und gewährleistet so die Sauberkeit der Wafer

Bei VeTek Semiconductor halten wir uns an strenge Qualitätsstandards und liefern unseren Kunden zuverlässige Produkte und Dienstleistungen. Wir wählen nur erstklassige Materialien aus und sind bestrebt, die Leistungsanforderungen der Branche zu erfüllen und zu übertreffen. Unser SiC-beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD ist ein Beispiel für dieses Qualitätsbewusstsein. Kontaktieren Sie uns, um mehr darüber zu erfahren, wie wir Sie bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern unterstützen können.

CVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR:

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg^-1·K^-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m^-1·K^-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10^-6K^-1

VeTek Semiconductor MOCVD SiC-beschichteter Graphitrezeptor:

VeTekSemi MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor

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