> Nachricht

Nachricht

Die Entwicklungsgeschichte von 3C SiC

Durch kontinuierlichen technologischen Fortschritt und eingehende Mechanismusforschung wird erwartet, dass die 3C-SiC-Heteroepitaxie-Technologie eine wichtigere Rolle in der Halbleiterindustrie spielt und die Entwicklung hocheffizienter elektronischer Geräte vorantreibt.

ALD-Rezept für die Atomlagenabscheidung

Spatial ALD, räumlich isolierte Atomlagenabscheidung. Der Wafer bewegt sich zwischen verschiedenen Positionen und wird an jeder Position unterschiedlichen Vorläufern ausgesetzt. Die folgende Abbildung zeigt einen Vergleich zwischen traditioneller ALD und räumlich isolierter ALD.

Durchbruch in der Tantalkarbid-Technologie, SiC-Epitaxieverschmutzung um 75 % reduziert?

Kürzlich hat das deutsche Forschungsinstitut Fraunhofer IISB einen Durchbruch in der Forschung und Entwicklung der Tantalcarbid-Beschichtungstechnologie erzielt und eine Sprühbeschichtungslösung entwickelt, die flexibler und umweltfreundlicher als die CVD-Abscheidungslösung ist, und wurde kommerzial......

Explorative Anwendung der 3D-Drucktechnologie in der Halbleiterindustrie

In einer Zeit rasanter technologischer Entwicklung verändert der 3D-Druck als wichtiger Vertreter fortschrittlicher Fertigungstechnologie nach und nach das Gesicht der traditionellen Fertigung. Mit der kontinuierlichen Reife der Technologie und der Kostensenkung hat die 3D-Drucktechnologie breite An......

Silizium(Si)-Epitaxie-Vorbereitungstechnologie

Einkristallmaterialien allein können den Bedarf der wachsenden Produktion verschiedener Halbleiterbauelemente nicht decken. Ende 1959 wurde eine Dünnschicht-Wachstumstechnologie für Einkristallmaterialien entwickelt – das epitaktische Wachstum.

Basierend auf der 8-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall-Wachstumsofentechnologie

Siliziumkarbid ist eines der idealen Materialien für die Herstellung von Hochtemperatur-, Hochfrequenz-, Hochleistungs- und Hochspannungsgeräten. Um die Produktionseffizienz zu verbessern und die Kosten zu senken, ist die Herstellung großformatiger Siliziumkarbidsubstrate eine wichtige Entwicklungsr......

<...6 7 8 9 10 >