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Berichten zufolge entwickeln chinesische Unternehmen gemeinsam mit Broadcom 5-nm-Chips!

Laut ausländischen Nachrichten gaben zwei Quellen am 24. Juni bekannt, dass ByteDance mit dem US-amerikanischen Chipdesign-Unternehmen Broadcom zusammenarbeitet, um einen fortschrittlichen Computerprozessor mit künstlicher Intelligenz (KI) zu entwickeln, der ByteDance dabei helfen wird, angesichts d......

Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8-Zoll-SiC-Chips werden voraussichtlich im Dezember in Produktion gehen!

Als führender Hersteller in der SiC-Industrie hat die damit verbundene Dynamik von Sanan Optoelectronics in der Branche große Aufmerksamkeit erregt. Kürzlich hat Sanan Optoelectronics eine Reihe neuester Entwicklungen bekannt gegeben, darunter die 8-Zoll-Umwandlung, die Produktion neuer Substratfabr......

Anwendung von TaC-beschichteten Graphitteilen in Einkristallöfen

Bei der Züchtung von SiC- und AlN-Einkristallen mithilfe der physikalischen Dampftransportmethode (PVT) spielen entscheidende Komponenten wie der Tiegel, der Keimhalter und der Führungsring eine entscheidende Rolle. Wie in Abbildung 2 [1] dargestellt, befindet sich der Impfkristall während des PVT-P......

Verschiedene technische Wege des SiC-Epitaxie-Wachstumsofens

Siliziumkarbid-Substrate weisen viele Mängel auf und können nicht direkt verarbeitet werden. Um Chip-Wafer herzustellen, muss auf ihnen durch einen Epitaxieprozess ein spezieller dünner Einkristallfilm gezüchtet werden. Dieser dünne Film ist die Epitaxieschicht. Fast alle Siliziumkarbid-Bauelemente ......

Material der Siliziumkarbid-Epitaxie

Das Material der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht ist Siliziumkarbid, das normalerweise zur Herstellung leistungsstarker elektronischer Geräte und LEDs verwendet wird. Aufgrund seiner hervorragenden thermischen Stabilität, mechanischen Festigkeit und hohen elektrischen Leitfähigkeit wird es häufig in ......

Eigenschaften der Siliziumepitaxie

Hohe Reinheit: Die durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) gewachsene Silizium-Epitaxieschicht weist eine extrem hohe Reinheit, eine bessere Oberflächenebenheit und eine geringere Defektdichte als herkömmliche Wafer auf.

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