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GaN-Epitaxie-Suszeptor auf Siliziumbasis

GaN-Epitaxie-Suszeptor auf Siliziumbasis

VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant, der sich der Bereitstellung hochwertiger epitaktischer GaN-Suszeptoren auf Siliziumbasis widmet. Der Suszeptorhalbleiter wird im VEECO K465i GaN MOCVD-System verwendet, hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, willkommen bei uns anzufragen und mit uns zusammenzuarbeiten!

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8-Zoll-Halbmondteil für LPE-Reaktor

8-Zoll-Halbmondteil für LPE-Reaktor

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von 8-Zoll-Halbmondteilen für LPE-Reaktoren in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC-Beschichtungsmaterialien spezialisiert. Wir bieten ein 8-Zoll-Halbmondteil für LPE-Reaktoren an, das speziell für LPE-SiC-Epitaxiereaktoren entwickelt wurde. Dieses Halbmondteil stellt mit seiner optimalen Größe, Kompatibilität und hohen Produktivität eine vielseitige und effiziente Lösung für die Halbleiterfertigung dar. Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik in China zu besuchen.

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SiC-beschichteter Pancake-Suszeptor für LPE PE3061S 6'' Wafer

SiC-beschichteter Pancake-Suszeptor für LPE PE3061S 6'' Wafer

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von SiC-beschichteten Pancake-Suszeptoren für LPE PE3061S 6-Zoll-Wafer in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC-Beschichtungsmaterialien spezialisiert. Wir bieten einen SiC-beschichteten Pancake-Suszeptor an, der speziell für LPE PE3061S 6-Zoll-Wafer entwickelt wurde . Dieser epitaktische Suszeptor zeichnet sich durch hohe Korrosionsbeständigkeit, gute Wärmeleitungsleistung und gute Gleichmäßigkeit aus. Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik in China zu besuchen.

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SiC-beschichteter Träger für LPE PE2061S

SiC-beschichteter Träger für LPE PE2061S

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von SiC-beschichteten Trägern für LPE PE2061S in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC-Beschichtungsmaterialien spezialisiert. Wir bieten einen SiC-beschichteten Träger für LPE PE2061S an, der speziell für LPE-Silizium-Epitaxie-Reaktoren entwickelt wurde. Dieser SiC-beschichtete Träger für LPE PE2061S ist der Boden des Zylindersuszeptors. Er hält einer hohen Temperatur von 1600 Grad Celsius stand und verlängert die Produktlebensdauer des Graphitersatzteils. Senden Sie uns gerne eine Anfrage.

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SiC-beschichtete Deckplatte für LPE PE2061S

SiC-beschichtete Deckplatte für LPE PE2061S

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von SiC-beschichteten Deckplatten für LPE PE2061S in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC-Beschichtungsmaterialien spezialisiert. Wir bieten eine SiC-beschichtete Deckplatte für LPE PE2061S an, die speziell für den LPE-Silizium-Epitaxiereaktor entwickelt wurde. Diese SiC-beschichtete Deckplatte für LPE PE2061S ist die Oberseite zusammen mit dem Zylindersuszeptor. Diese CVD-SiC-beschichtete Platte zeichnet sich durch hohe Reinheit, hervorragende thermische Stabilität und Gleichmäßigkeit aus und eignet sich daher für das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten. Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen in China.

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SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für LPE PE2061S

SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für LPE PE2061S

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von SiC-beschichteten Zylindersuszeptoren für LPE PE2061S in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC-Beschichtungsmaterialien spezialisiert. Wir bieten einen SiC-beschichteten Zylindersuszeptor an, der speziell für LPE PE2061S 4''-Wafer entwickelt wurde. Dieser Suszeptor verfügt über eine haltbare Siliziumkarbidbeschichtung, die die Leistung und Haltbarkeit während des LPE-Prozesses (Flüssigkeitsphasenepitaxie) verbessert. Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik in China zu besuchen.

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