SiC-beschichteter Tief-UV-LED-Suszeptor

Der SiC-beschichtete Tief-UV-LED-Suszeptor ist die zentrale LagerkomponenteMOCVD-Ausrüstung (metallorganische chemische Gasphasenabscheidung).. Der Suszeptor beeinflusst direkt die Gleichmäßigkeit, Dickenkontrolle und Materialqualität des epitaktischen Wachstums von LEDs im tiefen UV-Bereich, insbesondere beim Wachstum einer epitaktischen Schicht aus Aluminiumnitrid (AlN) mit hohem Aluminiumgehalt sind das Design und die Leistung des Suszeptors von entscheidender Bedeutung.

Der SiC-beschichtete Tief-UV-LED-Suszeptor ist speziell für die Tief-UV-LED-Epitaxie optimiert und auf der Grundlage thermischer, mechanischer und chemischer Umgebungseigenschaften präzise konzipiert, um strenge Prozessanforderungen zu erfüllen.

VeTek Semiconductornutzt fortschrittliche Verarbeitungstechnologie, um eine gleichmäßige Wärmeverteilung des Suszeptors innerhalb des Betriebstemperaturbereichs sicherzustellen und ein ungleichmäßiges Wachstum der Epitaxieschicht aufgrund von Temperaturgradienten zu vermeiden. Durch die Präzisionsbearbeitung wird die Oberflächenrauheit kontrolliert, die Partikelverunreinigung minimiert und die Wärmeleitfähigkeit des Waferoberflächenkontakts verbessert.

VeTek Semiconductorverwendet SGL-Graphit als Material und die Oberfläche wird damit behandeltCVD-SiC-Beschichtung, das lange Zeit NH3, HCl und Hochtemperaturatmosphäre standhalten kann. Der SiC-beschichtete Deep-UV-LED-Suszeptor von VeTek Semiconductor entspricht dem Wärmeausdehnungskoeffizienten von AlN/GaN-Epitaxiewafern und reduziert so Waferverwerfungen oder Risse, die durch thermische Belastung während des Prozesses verursacht werden.

Am wichtigsten ist, dass sich der SiC-beschichtete Tief-UV-LED-Suszeptor von VeTek Semiconductor perfekt an gängige MOCVD-Geräte (einschließlich Veeco K465i, EPIK 700, Aixtron Crius usw.) anpasst. Unterstützt maßgeschneiderte Dienste für Wafergröße (2–8 Zoll), Wafer-Slot-Design, Prozesstemperatur und andere Anforderungen.

Anwendungsszenarien:

● Tiefen-UV-LED-Vorbereitung: Anwendbar auf den Epitaxieprozess von Geräten im Bereich unter 260 nm (UV-C-Desinfektion, Sterilisation und andere Bereiche).

● Nitrid-Halbleiterepitaxie: Wird zur epitaktischen Herstellung von Halbleitermaterialien wie Galliumnitrid (GaN) und Aluminiumnitrid (AlN) verwendet.

● Epitaxieexperimente auf Forschungsniveau: Tief-UV-Epitaxie und Experimente zur Entwicklung neuer Materialien an Universitäten und Forschungseinrichtungen.

Mit der Unterstützung eines starken technischen Teams ist VeTek Semiconductor in der Lage, Suszeptoren mit einzigartigen Spezifikationen und Funktionen entsprechend den Kundenbedürfnissen zu entwickeln, spezifische Produktionsprozesse zu unterstützen und langfristige Dienstleistungen anzubieten.

REM-DATEN DES CVD-SIC-BESCHICHTUNGSFILM:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

VeTek SemiconductorSiC-beschichtete Deep-UV-LED-Suszeptor-Produktshops: