SiC-beschichteter Sockel

Vetek Semiconductor ist professionell in der Herstellung von CVD-SiC-Beschichtungen und TaC-Beschichtungen auf Graphit- und Siliziumkarbidmaterialien. Wir bieten OEM- und ODM-Produkte wie SiC-beschichtete Sockel, Wafer-Träger, Wafer-Chuck, Wafer-Trägertabletts, Planetenscheiben usw. an. Mit Reinraum- und Reinigungsgeräten der Güteklasse 1000 können wir Ihnen Produkte mit Verunreinigungen unter 5 ppm liefern. Wir freuen uns auf Ihre Nachricht bald von Dir.

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Produktbeschreibung

Mit jahrelanger Erfahrung in der Produktion von SiC-beschichteten Graphitteilen kann Vetek Semiconductor eine breite Palette von SiC-beschichteten Sockeln liefern. Hochwertige SiC-beschichtete Sockel eignen sich für viele Anwendungen. Bei Bedarf nutzen Sie bitte unseren zeitnahen Online-Service für SiC-beschichtete Sockel. Zusätzlich zur Produktliste unten können Sie auch Ihren eigenen, einzigartigen SiC-beschichteten Sockel entsprechend Ihren spezifischen Anforderungen anpassen.

Im Vergleich zu anderen Methoden wie MBE, LPE, PLD bietet die MOCVD-Methode die Vorteile einer höheren Wachstumseffizienz, einer besseren Kontrollgenauigkeit und relativ niedriger Kosten und wird in der aktuellen Industrie häufig eingesetzt. Angesichts der steigenden Nachfrage nach epitaktischen Halbleitermaterialien, insbesondere nach einer breiten Palette optoelektronischer epitaktischer Materialien wie LD und LED, ist es sehr wichtig, neue Gerätedesigns einzuführen, um die Produktionskapazität weiter zu erhöhen und die Kosten zu senken.

Unter diesen ist die mit Substrat beladene Graphitschale, die beim MOCVD-Epitaxiewachstum verwendet wird, ein sehr wichtiger Teil der MOCVD-Ausrüstung. Die beim epitaktischen Wachstum von Nitriden der Gruppe III verwendete Graphitschale wird im Allgemeinen auf der Oberfläche der Graphitschale mit einer dünnen, gleichmäßigen Siliziumkarbid-Schutzschicht plattiert, um die Korrosion von Ammoniak, Wasserstoff und anderen Gasen auf dem Graphit zu vermeiden. Beim epitaktischen Wachstum des Materials sind die Gleichmäßigkeit, Konsistenz und Wärmeleitfähigkeit der Siliziumkarbid-Schutzschicht sehr hoch und es werden bestimmte Anforderungen an deren Lebensdauer gestellt. Der SiC-beschichtete Sockel von Vetek Semiconductor senkt die Produktionskosten von Graphitpaletten und verbessert deren Lebensdauer, was einen großen Beitrag zur Kostensenkung von MOCVD-Geräten leistet.

Der SiC-beschichtete Sockel ist auch ein wichtiger Bestandteil der MOCVD-Reaktionskammer, der die Produktionseffizienz effektiv verbessert.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1