SiC-beschichtete Satellitenabdeckung für MOCVD

Als vertrauenswürdiger Lieferant und Hersteller von SiC-beschichteten Satellitenabdeckungen für MOCVD ist Vetek Semiconductor bestrebt, leistungsstarke epitaktische Prozesslösungen für die Halbleiterindustrie bereitzustellen. Unsere Produkte sind so konzipiert, dass sie als entscheidende MOCVD-Mittelplatte beim Aufwachsen epitaktischer Schichten auf Wafern dienen und sind in Zahnrad- oder Ringstrukturoptionen erhältlich, um unterschiedlichen Prozessanforderungen gerecht zu werden. Diese Basis weist eine hervorragende Hitzebeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit auf und eignet sich daher ideal für die Halbleiterverarbeitung in extremen Umgebungen.

Die SiC-beschichtete Satellitenabdeckung für MOCVD von Vetek Semiconductor bietet aufgrund mehrerer wichtiger Merkmale erhebliche Vorteile auf dem Markt. Seine Oberfläche ist vollständig mit einer Sic-Beschichtung versehen, um ein Abblättern wirksam zu verhindern. Es verfügt außerdem über eine Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen und kann in Umgebungen bis zu 1600 °C stabil bleiben. Darüber hinaus wird SiC-beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD durch ein CVD-Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen hergestellt, was eine hohe Reinheit gewährleistet und eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien mit einer dichten Oberfläche und feinen Partikeln bietet.

Darüber hinaus ist unsere SiC-beschichtete Satellitenabdeckung für MOCVD optimiert, um das beste laminare Luftströmungsmuster zu erzielen, um eine gleichmäßige Wärmeverteilung zu gewährleisten und die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen wirksam zu verhindern und so die Qualität des epitaktischen Wachstums auf Waferchips sicherzustellen. .

Produktmerkmale der SiC-beschichteten Satellitenabdeckung für MOCVD:

●  Vollständig beschichtet, um ein Abblättern zu vermeiden: Die Oberfläche ist gleichmäßig mit Siliziumkarbid beschichtet, um ein Abblättern des Materials zu verhindern.

●  Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: SiC-beschichteter MOCVD-Suszeptor kann in Umgebungen bis zu 1600 °C eine stabile Leistung aufrechterhalten.

●  Hochreiner Prozess: Der MOCVD-Suszeptor mit SiC-Beschichtung wird mithilfe eines CVD-Abscheidungsverfahrens hergestellt, um eine verunreinigungsfreie, hochreine Siliziumkarbidbeschichtung zu gewährleisten.

●  Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: Der MOCVD-Suszeptor besteht aus einer dichten Oberfläche und winzigen Partikeln und ist beständig gegen Säuren, Laugen, Salze und organische Lösungsmittel.

●  Optimierter Laminar-Flow-Modus: sorgt für eine gleichmäßige Wärmeverteilung und verbessert die Konsistenz und Qualität des epitaktischen Wachstums.

●  Wirksame Bekämpfung der Umweltverschmutzung: Verhindern Sie die Diffusion von Verunreinigungen und stellen Sie die Reinheit des Epitaxieprozesses sicher.

Die SiC-beschichtete Satellitenabdeckung für MOCVD von Vetek Semiconductor hat sich aufgrund ihrer hohen Leistung und Zuverlässigkeit zur idealen Wahl in der epitaktischen Halbleiterproduktion entwickelt und bietet Kunden vertrauenswürdige Produkt- und Prozessgarantien. Darüber hinaus ist VetekSemi stets bestrebt, der Halbleiterindustrie fortschrittliche Technologie- und Produktlösungen bereitzustellen und bietet maßgeschneiderte Produktdienstleistungen für SiC-Beschichtungen und MOCVD-Suszeptoren an. Wir freuen uns aufrichtig darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

CVD-SIC-Beschichtungsfilm-Kristallstruktur:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung