Kollektorboden mit SiC-Beschichtung

VeTek Semiconductor ist ein Hersteller, der sich der Bereitstellung hochwertiger CVD-TaC-Beschichtung und CVD-SiC-Beschichtung des Kollektorbodens verschrieben hat und eng mit Aixtron-Geräten zusammenarbeitet, um die Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Ob bei der Prozessoptimierung oder der Entwicklung neuer Produkte, wir stehen Ihnen gerne mit technischer Unterstützung zur Seite und beantworten Ihre Fragen.

Aixtron-Produkte mit SiC-Beschichtungskollektor oben, Kollektormitte und SiC-Beschichtungskollektor unten. Diese Produkte sind eine der Schlüsselkomponenten für fortschrittliche Halbleiterfertigungsprozesse.

Die Kombination aus Aixtron SiC-beschichteter Kollektoroberseite, Kollektormitte und Kollektorunterseite in Aixtron-Geräten spielt die folgenden wichtigen Rollen:

Wärmemanagement: Diese Komponenten verfügen über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und sind in der Lage, Wärme effektiv zu leiten. Das Wärmemanagement ist in der Halbleiterfertigung von entscheidender Bedeutung. SiC-Beschichtungen an der Kollektoroberseite, in der Kollektormitte und an der mit Siliziumkarbid beschichteten Kollektorunterseite tragen dazu bei, Wärme effizient abzuleiten, angemessene Prozesstemperaturen aufrechtzuerhalten und das Wärmemanagement der Ausrüstung zu verbessern.

Chemische Trägheit und Korrosionsbeständigkeit: Die SiC-beschichtete Kollektoroberseite, die Kollektormitte und die SiC-beschichtete Kollektorunterseite von Aixtron verfügen über eine ausgezeichnete chemische Trägheit und sind beständig gegen chemische Korrosion und Oxidation. Dadurch können sie in rauen chemischen Umgebungen über lange Zeiträume stabil arbeiten, eine zuverlässige Schutzschicht bilden und die Lebensdauer der Komponenten verlängern.

Unterstützung des Elektronenstrahlverdampfungsprozesses (EB): Diese Komponenten werden in Aixtron-Geräten zur Unterstützung des Elektronenstrahlverdampfungsprozesses verwendet. Das Design und die Materialauswahl von Collector Top, Collector Center und SiC Coating Collector Bottom tragen dazu bei, eine gleichmäßige Filmabscheidung zu erreichen und ein stabiles Substrat bereitzustellen, um Filmqualität und -konsistenz sicherzustellen.

Optimierung der Filmwachstumsumgebung: Collector Top, Collector Center und SiC Coating Collector Bottom optimieren die Filmwachstumsumgebung in Aixtron-Geräten. Die chemische Inertheit und Wärmeleitfähigkeit der Beschichtung tragen dazu bei, Verunreinigungen und Defekte zu reduzieren und die Kristallqualität und Konsistenz des Films zu verbessern.

Durch die Verwendung von Aixtrons SiC-beschichteter Kollektoroberseite, Kollektormitte und SiC-beschichteter Kollektorunterseite können Wärmemanagement und chemischer Schutz in Halbleiterfertigungsprozessen erreicht, die Filmwachstumsumgebung optimiert und die Qualität und Konsistenz des Films verbessert werden. Die Kombination dieser Komponenten in Aixtron-Anlagen sorgt für stabile Prozessbedingungen und eine effiziente Halbleiterproduktion.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

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