SiC-Beschichtungssammelzentrum

Das VeTek Semiconductor SiC Coating Collector Center spielt eine wichtige Rolle bei der Produktion des Semiconductor EPI-Prozesses. Es ist eine der Schlüsselkomponenten für die Gasverteilung und -steuerung in einer epitaktischen Reaktionskammer. Gerne können Sie uns in unserem Werk nach SiC-Beschichtungen und TaC-Beschichtungen fragen.

Die Rolle des SiC Coating Collector Center ist wie folgt:

Gasverteilung: Das SiC Coating Collector Center wird verwendet, um verschiedene Gase in die epitaktische Reaktionskammer einzuleiten. Es verfügt über mehrere Ein- und Auslässe, die verschiedene Gase an die gewünschten Stellen verteilen können, um spezifische epitaktische Wachstumsanforderungen zu erfüllen.

Gaskontrolle: Das SiC Coating Collector Center ermöglicht eine präzise Kontrolle jedes Gases durch Ventile und Durchflusskontrollgeräte. Diese präzise Gassteuerung ist für den Erfolg des epitaktischen Wachstumsprozesses von entscheidender Bedeutung, um die gewünschte Gaskonzentration und Durchflussrate zu erreichen und die Qualität und Konsistenz des Films sicherzustellen.

Gleichmäßigkeit: Das Design und die Anordnung des zentralen Gassammelrings tragen dazu bei, eine gleichmäßige Gasverteilung zu erreichen. Durch einen angemessenen Gasströmungsweg und Verteilungsmodus wird das Gas in der epitaktischen Reaktionskammer gleichmäßig gemischt, um ein gleichmäßiges Wachstum des Films zu erreichen.

Bei der Herstellung epitaktischer Produkte spielt das SiC Coating Collector Center eine Schlüsselrolle für die Qualität, Dicke und Gleichmäßigkeit des Films. Durch die richtige Gasverteilung und -steuerung kann das SiC Coating Collector Center die Stabilität und Konsistenz des epitaktischen Wachstumsprozesses gewährleisten, um so qualitativ hochwertige epitaktische Filme zu erhalten.

Im Vergleich zum Graphit-Kollektorzentrum bietet das SiC-beschichtete Kollektorzentrum eine verbesserte Wärmeleitfähigkeit, eine verbesserte chemische Inertheit und eine überlegene Korrosionsbeständigkeit. Die Siliziumkarbidbeschichtung verbessert die Wärmemanagementfähigkeit des Graphitmaterials erheblich und führt zu einer besseren Temperaturgleichmäßigkeit und einem gleichmäßigen Filmwachstum bei epitaktischen Prozessen. Darüber hinaus bildet die Beschichtung eine Schutzschicht, die chemischer Korrosion widersteht und so die Lebensdauer der Graphitkomponenten verlängert. Insgesamt bietet das mit Siliziumkarbid beschichtete Graphitmaterial eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, chemische Inertheit und Korrosionsbeständigkeit und gewährleistet so eine verbesserte Stabilität und ein qualitativ hochwertiges Filmwachstum bei Epitaxieprozessen.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Industriekette:

Produktionswerkstatt