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Kollektoroberseite mit SiC-Beschichtung
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Kollektoroberseite mit SiC-Beschichtung

Willkommen bei VeTek Semiconductor, Ihrem vertrauenswürdigen Hersteller von CVD-SiC-Beschichtungen. Wir sind stolz darauf, Aixtron SiC Coating Collector Top anbieten zu können, die fachmännisch aus hochreinem Graphit hergestellt werden und über eine hochmoderne CVD-SiC-Beschichtung mit Verunreinigungen unter 5 ppm verfügen. Bitte zögern Sie nicht, uns bei Fragen oder Anfragen zu kontaktieren

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Produktbeschreibung

Mit jahrelanger Erfahrung in der Produktion von TaC-Beschichtungen und SiC-Beschichtungen kann VeTek Semiconductor eine breite Palette von SiC-Beschichtungen für Kollektoroberseite, Kollektormitte und Kollektorunterseite für das Aixtron-System liefern. Hochwertiges SiC-Beschichtungs-Kollektor-Top kann viele Anwendungen erfüllen. Bei Bedarf nutzen Sie bitte unseren zeitnahen Online-Service zum SiC-Beschichtungs-Kollektor-Top. Zusätzlich zur Produktliste unten können Sie auch Ihr eigenes, einzigartiges SiC-Beschichtungs-Kollektoroberteil entsprechend Ihren spezifischen Anforderungen anpassen.

SiC-beschichteter Kollektor oben, SiC-beschichteter Kollektor in der Mitte und SiC-beschichteter Kollektor unten sind die drei Grundkomponenten, die im Halbleiterherstellungsprozess verwendet werden. Lassen Sie uns jedes Produkt einzeln besprechen:

VeTek Semiconductor SiC Coating Collector Top spielt eine entscheidende Rolle im Halbleiterabscheidungsprozess. Es fungiert als Stützstruktur für das abgeschiedene Material und trägt dazu bei, die Gleichmäßigkeit und Stabilität während der Abscheidung aufrechtzuerhalten. Es unterstützt auch das Wärmemanagement und leitet die während des Prozesses erzeugte Wärme effektiv ab. Die Oberseite des Kollektors gewährleistet die korrekte Anordnung und Verteilung des abgeschiedenen Materials, was zu einem qualitativ hochwertigen und gleichmäßigen Filmwachstum führt.

Die SiC-Beschichtung auf der Kollektoroberseite, der Kollektormitte und der Kollektorunterseite verbessert ihre Leistung und Haltbarkeit erheblich. SiC-Beschichtungen (Siliziumkarbid) sind für ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit, chemische Inertheit und Korrosionsbeständigkeit bekannt. Die SiC-Beschichtung oben, in der Mitte und an der Unterseite des Kollektors bietet hervorragende Wärmemanagementfähigkeiten, sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und sorgt für die Aufrechterhaltung optimaler Prozesstemperaturen. Es verfügt außerdem über eine hervorragende chemische Beständigkeit, schützt Komponenten vor korrosiven Umgebungen und verlängert ihre Lebensdauer. Die Eigenschaften von SiC-Beschichtungen tragen dazu bei, die Stabilität von Halbleiterfertigungsprozessen zu verbessern, Defekte zu reduzieren und die Filmqualität zu verbessern.


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte 3,21 g/cm³
Härte 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung 2~10μm
Chemische Reinheit 99,99995 %
Wärmekapazität 640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur 2700℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit 300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5×10-6K-1


Industriekette:


Produktionswerkstatt


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