SiC-beschichteter Graphit-MOCVD-Heizer

MOCVD ist eine Präzisions-Dünnschicht-Wachstumstechnologie, die in der Herstellung von Halbleiter-, optoelektronischen und mikroelektronischen Geräten weit verbreitet ist. Durch die MOCVD-Technologie können hochwertige Halbleitermaterialfilme auf Substraten (wie Silizium, Saphir, Siliziumkarbid usw.) abgeschieden werden.

In MOCVD-Geräten sorgt die MOCVD-Heizung mit SiC-Beschichtungsgraphit für eine gleichmäßige und stabile Heizumgebung in der Hochtemperatur-Reaktionskammer, wodurch die chemische Reaktion in der Gasphase ablaufen kann und dadurch der gewünschte dünne Film auf der Substratoberfläche abgeschieden wird.

Die SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-Heizung von VeTek Semiconductor besteht aus hochwertigem Graphitmaterial mit SiC-Beschichtung. Die SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-Heizung erzeugt Wärme durch das Prinzip der Widerstandsheizung.

Der Kern der SiC-beschichteten Graphit-MOCVD-Heizung ist das Graphitsubstrat. Der Strom wird über eine externe Stromversorgung zugeführt und die Widerstandseigenschaften von Graphit werden genutzt, um Wärme zu erzeugen und so die erforderliche hohe Temperatur zu erreichen. Die Wärmeleitfähigkeit des Graphitsubstrats ist ausgezeichnet, wodurch Wärme schnell geleitet und die Temperatur gleichmäßig auf die gesamte Heizoberfläche übertragen werden kann. Gleichzeitig beeinflusst die SiC-Beschichtung die Wärmeleitfähigkeit von Graphit nicht, sodass die Heizung schnell auf Temperaturänderungen reagieren und eine gleichmäßige Temperaturverteilung gewährleisten kann.

Reiner Graphit neigt bei hohen Temperaturen zur Oxidation. Die SiC-Beschichtung isoliert den Graphit wirksam vor direktem Kontakt mit Sauerstoff, verhindert dadurch Oxidationsreaktionen und verlängert die Lebensdauer des Heizgeräts. Darüber hinaus verwenden MOCVD-Geräte korrosive Gase (wie Ammoniak, Wasserstoff usw.) für die chemische Gasphasenabscheidung. Die chemische Stabilität der SiC-Beschichtung ermöglicht es ihr, der Erosion dieser korrosiven Gase wirksam zu widerstehen und das Graphitsubstrat zu schützen.

Bei hohen Temperaturen können unbeschichtete Graphitmaterialien Kohlenstoffpartikel freisetzen, die die Abscheidungsqualität des Films beeinträchtigen. Das Aufbringen einer SiC-Beschichtung hemmt die Freisetzung von Kohlenstoffpartikeln und ermöglicht so die Durchführung des MOCVD-Prozesses in einer sauberen Umgebung, was den Anforderungen der Halbleiterfertigung mit hohen Reinheitsanforderungen gerecht wird.

Schließlich ist die Graphit-MOCVD-Heizung mit SiC-Beschichtung normalerweise kreisförmig oder in einer anderen regelmäßigen Form gestaltet, um eine gleichmäßige Temperatur auf der Substratoberfläche sicherzustellen. Die Temperaturgleichmäßigkeit ist entscheidend für das gleichmäßige Wachstum dicker Filme, insbesondere beim epitaktischen MOCVD-Wachstumsprozess von III-V-Verbindungen wie GaN und InP.

VeTeK Semiconductor bietet professionelle Anpassungsdienste. Die branchenführenden Bearbeitungs- und SiC-Beschichtungskapazitäten ermöglichen es uns, erstklassige Heizgeräte für MOCVD-Geräte herzustellen, die für die meisten MOCVD-Geräte geeignet sind.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung

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