Halbmondförmige Graphitteile mit SiC-Beschichtung

In der Reaktionskammer des SiC-Epitaxie-Wachstumsofens sind die SiC-beschichteten Halfmoon-Graphitteile Schlüsselkomponenten für die Optimierung der Gasflussverteilung, der thermischen Feldsteuerung und der Gleichmäßigkeit der Reaktionsatmosphäre. Sie bestehen in der Regel aus einer SiC-BeschichtungGraphit, halbmondförmig gestaltet, im oberen und unteren Graphitteil der Reaktionskammer angeordnet, den Substratbereich umgebend.

    •Oberer halbmondförmiger Graphitteil: Wird im oberen Teil der Reaktionskammer in der Nähe des Gaseinlasses installiert und ist für die Führung des Reaktionsgases zur Substratoberfläche verantwortlich.

    •Unterer halbmondförmiger Graphitteil: Befindet sich am Boden der Reaktionskammer, normalerweise unter dem Substrathalter, und dient zur Steuerung der Gasflussrichtung und zur Optimierung des Wärmefelds und der Gasverteilung am Boden des Substrats.

Während derSiC-EpitaxieprozessDer obere halbmondförmige Graphitteil hilft dabei, den Gasstrom gleichmäßig auf dem Substrat zu verteilen und verhindert so, dass das Gas direkt auf die Substratoberfläche trifft und lokale Überhitzung oder Luftstromturbulenzen verursacht. Der untere halbmondförmige Graphitteil ermöglicht, dass das Gas reibungslos durch das Substrat strömt und dann entladen wird, während gleichzeitig verhindert wird, dass Turbulenzen die Gleichmäßigkeit des Wachstums der Epitaxieschicht beeinträchtigen.

Im Hinblick auf die Regulierung des Wärmefelds tragen SiC-beschichtete Halbmond-Graphitteile durch Form und Position dazu bei, die Wärme in der Reaktionskammer gleichmäßig zu verteilen. Der obere halbmondförmige Graphitteil kann die Strahlungswärme der Heizung effektiv reflektieren, um sicherzustellen, dass die Temperatur über dem Substrat stabil ist. Eine ähnliche Funktion übernimmt auch der untere halbmondförmige Graphitteil, der durch Wärmeleitung dazu beiträgt, die Wärme gleichmäßig unter dem Substrat zu verteilen und so übermäßige Temperaturunterschiede zu verhindern.

Die SiC-Beschichtung macht die Komponenten hochtemperaturbeständig und wärmeleitfähig, sodass die Halbmondteile von VeTek Semiconductor eine lange Lebensdauer haben. Unsere sorgfältig entwickelten halbmondförmigen Graphitteile für die SiC-Epitaxie können nahtlos in viele Epitaxiereaktoren integriert werden und tragen so zur Verbesserung der Gesamteffizienz und Zuverlässigkeit des Halbleiterherstellungsprozesses bei. Was auch immer Ihre Halbmond-Graphitteile mit SiC-Beschichtung benötigen, wenden Sie sich bitte an VeTek Semiconductor.

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