Einlassring mit SiC-Beschichtung

Der hochwertige Einlassring mit SiC-Beschichtung wird vom chinesischen Hersteller Vetek Semiconductor angeboten. Kaufen Sie einen Einlassring mit SiC-Beschichtung, der direkt von hoher Qualität und zu einem niedrigen Preis ist.

Vetek Semiconductor ist auf die Lieferung fortschrittlicher und wettbewerbsfähiger Produktionsanlagen spezialisiert, die auf die Halbleiterindustrie zugeschnitten sind, und konzentriert sich dabei auf SiC-beschichtete Graphitkomponenten wie SiC-Beschichtungseinlassringe für SiC-CVD-Systeme der dritten Generation. Diese Systeme erleichtern das Wachstum gleichmäßiger einkristalliner Epitaxieschichten auf Siliziumkarbidsubstraten, die für die Herstellung von Leistungsgeräten wie Schottky-Dioden, IGBTs, MOSFETs und verschiedenen elektronischen Komponenten unerlässlich sind.

Die SiC-CVD-Ausrüstung verbindet Prozess und Ausrüstung nahtlos und bietet bemerkenswerte Vorteile in Bezug auf hohe Produktionskapazität, Kompatibilität mit 6/8-Zoll-Wafern, Kosteneffizienz, kontinuierliche automatische Wachstumskontrolle über mehrere Öfen, niedrige Fehlerraten sowie bequeme Wartung und Zuverlässigkeit durch Temperatur und Strömungsfeldsteuerungsdesigns. In Kombination mit unserem Einlassring mit SiC-Beschichtung steigert es die Geräteproduktivität, verlängert die Betriebslebensdauer und verwaltet effektiv die Kosten.

Die Einlassringe mit SiC-Beschichtung von Vetek Semiconductor zeichnen sich durch hohe Reinheit, stabile Graphiteigenschaften, präzise Verarbeitung und den zusätzlichen Vorteil der CVD-SiC-Beschichtung aus. Die hohe Temperaturstabilität von Siliziumkarbidbeschichtungen schützt Substrate vor Hitze und chemischer Korrosion in extremen Umgebungen. Diese Beschichtungen bieten außerdem eine hohe Härte und Verschleißfestigkeit und sorgen so für eine längere Lebensdauer des Substrats, Korrosionsbeständigkeit gegenüber verschiedenen Chemikalien, niedrige Reibungskoeffizienten für geringere Verluste und eine verbesserte Wärmeleitfähigkeit für eine effiziente Wärmeableitung. Insgesamt bieten CVD-Siliziumkarbidbeschichtungen umfassenden Schutz, verlängern die Lebensdauer des Substrats und verbessern die Leistung.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Produktionsstätten:

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie: