SiC-Dichtungsteil

SiC-Dichtungsteil

Als fortschrittlicher Hersteller und Hersteller von SiC-Dichtungsteilen in China. Das SiC-Dichtungsteil von VeTek Semiconducto ist eine Hochleistungsdichtungskomponente, die häufig in der Halbleiterverarbeitung und anderen Prozessen mit extrem hohen Temperaturen und hohem Druck eingesetzt wird. Begrüßen Sie Ihre weitere Beratung.

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Produktbeschreibung

SiC-Dichtungsteile spielen eine Schlüsselrolle bei der Halbleiterverarbeitung. Seine hervorragenden Materialeigenschaften und die zuverlässige Dichtwirkung verbessern nicht nur die Produktionseffizienz, sondern sorgen auch für Produktqualität und -sicherheit.


Main Advantages of Silicon Carbide Sealing Part:


Ausgezeichnete KorrosionsbeständigkeitUnter den fortschrittlichen Keramikmaterialien weist VeTeksemi SiC Sealing Part möglicherweise die beste Korrosionsbeständigkeit in sauren und alkalischen Umgebungen auf. Diese beispiellose Korrosionsbeständigkeit stellt sicher, dass SiC-Dichtungsteile in chemisch korrosiven Umgebungen effektiv funktionieren können, was sie zu einem unverzichtbaren Material in Branchen macht, die häufig korrosiven Substanzen ausgesetzt sind.


Leicht und stark: Siliziumkarbid hat eine Dichte von etwa 3,2 g/cm³ und obwohl es sich um ein leichtes Keramikmaterial handelt, ist die Festigkeit von Siliziumkarbid mit der von Diamant vergleichbar. Diese Kombination aus Leichtigkeit und Festigkeit verbessert die Leistung mechanischer Komponenten, erhöht dadurch die Effizienz und reduziert den Verschleiß in anspruchsvollen Industrieanwendungen. Das geringe Gewicht des SiC-Dichtungsteils erleichtert auch die Handhabung und Installation der Komponenten.


Extrem hohe Härte und hohe WärmeleitfähigkeitSiliziumkarbid hat eine Mohs-Härte von 9 bis 10, vergleichbar mit Diamant. Diese Eigenschaft, kombiniert mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit (ca. 120–200 W/m·K bei Raumtemperatur), ermöglicht es SiC-Dichtungen, unter Bedingungen zu funktionieren, die minderwertige Materialien beschädigen würden. Die hervorragenden mechanischen Eigenschaften von SiC bleiben bei Temperaturen bis zu 1600 °C erhalten und stellen sicher, dass SiC-Dichtungen auch bei Hochtemperaturanwendungen robust und zuverlässig bleiben.


Hohe Härte und Verschleißfestigkeit: Siliziumkarbid zeichnet sich durch starke kovalente Bindungen innerhalb seines Kristallgitters aus, die ihm eine hohe Härte und einen beträchtlichen Elastizitätsmodul verleihen. Diese Eigenschaften führen zu einer hervorragenden Verschleißfestigkeit und verringern die Wahrscheinlichkeit einer Biegung oder Verformung auch nach längerem Gebrauch. Dies macht SiC zu einer hervorragenden Wahl für SiC-Dichtungsteile, die ständiger mechanischer Belastung und abrasiven Bedingungen ausgesetzt sind.


Bildung einer schützenden SiliziumdioxidschichtWenn Siliziumkarbid in einer sauerstoffreichen Umgebung Temperaturen von etwa 1300 °C ausgesetzt wird, bildet es ein schützendes Siliziumdioxid (SiO).2) Schicht auf seiner Oberfläche. Diese Schicht fungiert als Barriere und verhindert weitere Oxidation und chemische Wechselwirkungen. B. das SiO2Wenn die Schicht dicker wird, schützt sie das darunter liegende SiC zusätzlich vor anderen Reaktionen. Dieser selbstlimitierende Oxidationsprozess verleiht SiC eine hervorragende chemische Beständigkeit und Stabilität, wodurch SiC-Dichtungen für den Einsatz in reaktiven Umgebungen und Hochtemperaturumgebungen geeignet sind.


Vielseitigkeit in Hochleistungsanwendungen:Die einzigartigen Eigenschaften von Siliziumkarbid machen es vielseitig und effizient in einer Vielzahl von Hochleistungsanwendungen. Von mechanischen Dichtungen und Lagern bis hin zu Wärmetauschern und Turbinenkomponenten – die Fähigkeit von SiC Sealing Part, extremen Bedingungen standzuhalten und seine Integrität zu bewahren, macht es zum Material der Wahl für fortschrittliche technische Lösungen.


VeTek Semiconductor hat sich der Bereitstellung fortschrittlicher Technologie- und Produktlösungen für die Halbleiterindustrie verschrieben. Darüber hinaus umfassen unsere SiC-Produkte auchSiliziumkarbidbeschichtung, SiliziumkarbidkeramikUndSiC-EpitaxieprozessProdukte. Begrüßen Sie Ihre weitere Beratung.


REM-DATEN DER CVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


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