Graphitheizgerät mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung

VeTek Semiconductor Graphitheizgerät mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungkombiniert die hervorragende elektrische und thermische Leitfähigkeit von Graphit mit der hohen Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Verschleißfestigkeit einer Silizium-Kohlenstoff-Keramikbeschichtung und ist für raue Umgebungen bei der Halbleiterfertigung konzipiert. 

Graphitheizgerät mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungwird hauptsächlich in Geräten zur Vakuumbeschichtung (Verdampfung) verwendet. Die üblicherweise verwendeten Methoden sind PCD (Plasma Chemical Drying) und PVD (Physical Vapour Deposition). Dieses Produkt hat eine wichtige Rolle bei der Förderung des technologischen Fortschritts und der Verbesserung der Produktionseffizienz in der Halbleiterindustrie gespielt.Wir freuen uns sehr auf die weitere Zusammenarbeit mit Ihnen.

Die Material- und Strukturmerkmale des Graphitheizgeräts mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung sind wie folgt:

Graphitsubstrat: Graphit ist für seine hohe Wärmeleitfähigkeit und seinen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten bekannt. Es kann schnell auf Temperaturänderungen reagieren und die strukturelle Stabilität bei hohen Temperaturen aufrechterhalten.

Silizium-Kohlenstoff-Keramikbeschichtung: Die SiC-Beschichtung wird durch chemische Gasphasenabscheidung oder andere fortschrittliche Verfahren gleichmäßig auf die Graphitoberfläche aufgetragen. SiC verfügt über eine extrem hohe Härte und chemische Korrosionsbeständigkeit, wodurch das Graphitsubstrat vor Hochtemperaturoxidation und korrosiven Umgebungen geschützt werden kann.

Das spezielle Produktstrukturdesign des Graphitheizgeräts mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung bestimmtdie unersetzlichen Produktvorteile dieses Produkts im Halbleiterverarbeitungsprozess:

Effiziente und gleichmäßige Erwärmung:

Wärmeleitfähigkeit: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Graphit ermöglicht es dem Heizgerät, die erforderliche Temperatur schnell zu erreichen und aufrechtzuerhalten, und die SiC-Beschichtung sorgt für eine gleichmäßige Wärmeverteilung. Dies ist besonders wichtig für Halbleiterprozesse, die eine präzise Temperaturkontrolle erfordern, wie etwa schnelle thermische Verarbeitung (RTP) und chemische Gasphasenabscheidung (CVD).

Temperaturgleichmäßigkeit: Durch eine gleichmäßige Wärmeverteilung kann der Graphitheizer mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung die thermische Belastung und den Temperaturgradienten wirksam reduzieren und so die Konsistenz und Qualitätsstabilität der Halbleiterwafer während des gesamten Heizprozesses gewährleisten.

Korrosionsschutz:

Chemische Beständigkeit: Die chemische Korrosionsbeständigkeit der SiC-Beschichtung ermöglicht einen stabilen und langen Betrieb des Heizgeräts in korrosiven Gas- und chemischen Umgebungen und vermeidet Schäden am Graphitsubstrat. Diese Funktion ist besonders wichtig bei Prozessen wie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und der plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD).

Oxidationsbeständigkeit: Bei hohen Temperaturen kann die SiC-Beschichtung die Oxidation des Graphitsubstrats verhindern, die Lebensdauer des Heizgeräts verlängern und die Häufigkeit und Kosten der Gerätewartung reduzieren.

Reduzieren Sie die Partikelverschmutzung:

Oberflächenstabilität: Die SiC-Beschichtung ist nicht nur verschleißfest, sondern verhindert auch, dass Partikel aufgrund thermischer Zyklen oder chemischer Reaktionen von der Materialoberfläche fallen, wodurch das Risiko einer Partikelkontamination, die während der Halbleiterherstellung auftreten kann, verringert und eine hochreine Prozessumgebung gewährleistet wird.

Verbessern Sie die Prozesssicherheit und Effizienz:

Langlebiges Design: Aufgrund der Kombination aus der mechanischen Festigkeit von Graphit und der Verschleißfestigkeit der SiC-Beschichtung kann der Graphitheizer mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung einen hocheffizienten Betrieb über einen langen Zeitraum unter rauen Prozessbedingungen aufrechterhalten und so die Gesamtzuverlässigkeit der Ausrüstung erheblich verbessern.

Effiziente Energienutzung: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Graphit und die Hochtemperaturstabilität der SiC-Beschichtung ermöglichen es der Heizung, den Energieverbrauch zu senken und gleichzeitig die Genauigkeit der Temperaturregelung zu verbessern, wodurch die Gesamteffizienz der Halbleiterproduktion verbessert wird.

Grundlegende physikalische Eigenschaften vonGraphitheizgerät mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung:

VeTek SemiconductorGraphitheizgerät mit Siliziumkarbid-KeramikbeschichtungGeschäfte:

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:

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