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Heizgerät mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung
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Heizgerät mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung

VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller von Heizgeräten mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung in China. Die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungsheizung ist hauptsächlich für die hohen Temperaturen und die raue Umgebung der Halbleiterfertigung konzipiert. Sein ultrahoher Schmelzpunkt, die hervorragende Korrosionsbeständigkeit und die hervorragende Wärmeleitfähigkeit machen dieses Produkt im Halbleiterproduktionsprozess unverzichtbar. Wir hoffen aufrichtig, eine langfristige Geschäftsbeziehung mit Ihnen aufzubauen.

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Produktbeschreibung

VeTek SemiconductorDie Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungsheizung ist eine Heizung, die für hohe Temperaturen und raue Umgebungen entwickelt wurde. Es überzieht die Oberfläche des Heizelements mit einer Schicht aus Silizium-Kohlenstoff-Keramik (SiC), um dem Gerät eine hervorragende Hitzebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Wärmeleitfähigkeit zu verleihen. 

Heizgerät mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungwird hauptsächlich in Vakuumbeschichtungs-(Verdampfungs-)Geräten verwendet. Die am häufigsten verwendeten Methoden sind PCD (Plasma Chemical Drying) und PVD (Physical Vapour Deposition), die in der Halbleiterfertigung und anderen anspruchsvollen industriellen Anwendungen weit verbreitet sind.


In Kombination mit dem Hochleistungsbeschichtungsdesign des Siliziumkarbid-Keramik-Beschichtungsheizers,Es kann eine hervorragende Heizlösung für Hochtemperaturprozesse darstellen.


Hervorragende Wärmeleitfähigkeit: SiC-Material verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, wodurch sichergestellt wird, dass die Heizung eine gleichmäßige Wärmeverteilung im Arbeitsbereich erreichen und Temperaturgradienten reduzieren kann.

Sorgen Sie für eine gleichmäßige Wärmeverteilung: Die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungsheizung nutzt die hohe Wärmeleitfähigkeit des SiC-Materials, um eine gleichmäßige Temperaturverteilung im gesamten Heizbereich zu erreichen. Dies ist entscheidend, um eine gleichmäßige Wärmebehandlung von Halbleiterwafern in verschiedenen Hochtemperaturprozessen wie Rapid Thermal Processing (RTP), Diffusion und Oxidation sicherzustellen und Produktfehler durch lokale Überhitzung oder ungleichmäßige Temperatur zu vermeiden.


Hohe Temperaturtoleranz: Durch die SiC-Beschichtung hält die Heizung extrem hohen Temperaturen stand, typischerweise bis zu 1600 °C, und eignet sich für verschiedene Hochtemperaturverarbeitungsprozesse.

Verbessern Sie die Hitzebeständigkeit: Da die Beschichtung extrem hohen Temperaturen standhält, eignet sie sich gut für Prozesse, die einen langfristigen Betrieb bei hohen Temperaturen erfordern. Beispielsweise kann bei Prozessen der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungsheizung einen langfristig stabilen Betrieb der Anlage bei hohen Temperaturen gewährleisten und eine konstante Heizleistung aufrechterhalten, wodurch die Prozesswiederholbarkeit und -zuverlässigkeit verbessert wird.


Chemische Korrosionsbeständigkeit: Die SiC-Beschichtung weist eine extrem hohe Beständigkeit gegenüber Säuren, Laugen und korrosiven Gasen auf und kann in einer komplexen chemischen Atmosphäre lange Zeit stabil bleiben, wodurch die Lebensdauer der Ausrüstung verlängert wird. 

Verlängert die Lebensdauer der Ausrüstung: Die SiC-Beschichtung weist eine ausgezeichnete Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit auf und kann chemischer Erosion und Oxidation bei hohen Temperaturen wirksam widerstehen. Dies ist im Halbleiterfertigungsprozess von entscheidender Bedeutung, insbesondere in einer Umgebung, in der korrosive Gase und Chemikalien verarbeitet werden. Die Schutzwirkung der Beschichtung kann die Lebensdauer des Heizgeräts erheblich verlängern und die Häufigkeit des Geräteaustauschs sowie die Wartungskosten verringern.


Grundlegende physikalische Eigenschaften von Heizgeräten mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung:



VeTek Semiconductor Heizgerätegeschäfte mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung:


Überblick über die VeTek-Industriekette für die Epitaxie von Halbleiterchips:


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