Mit Siliziumkarbid beschichteter Epi-Suszeptor

Unter Halbleiterepitaxie versteht man das Wachstum eines Dünnfilms mit einer bestimmten Gitterstruktur auf der Oberfläche eines Substratmaterials durch Methoden wie Gasphasen-, Flüssigphasen- oder Molekularstrahlabscheidung, so dass die neu gewachsene Dünnfilmschicht (Epitaxieschicht) die folgenden Eigenschaften aufweist: gleiche oder ähnliche Gitterstruktur und Ausrichtung wie das Substrat. 

Die Epitaxietechnologie ist in der Halbleiterfertigung von entscheidender Bedeutung, insbesondere bei der Herstellung hochwertiger Dünnfilme wie Einkristallschichten, Heterostrukturen und Quantenstrukturen, die zur Herstellung von Hochleistungsgeräten verwendet werden.

Der Epi-Suszeptor ist eine Schlüsselkomponente zur Unterstützung des Substrats in Epitaxie-Wachstumsgeräten und wird häufig in der Siliziumepitaxie eingesetzt. Die Qualität und Leistung des Epitaxiesockels wirken sich direkt auf die Wachstumsqualität der Epitaxieschicht aus und spielen eine entscheidende Rolle für die endgültige Leistung von Halbleiterbauelementen.

VeTek Semiconductorhat durch das CVD-Verfahren eine SIC-Beschichtung auf die Oberfläche von SGL-Graphit aufgetragen und einen SiC-beschichteten Epi-Suszeptor mit Eigenschaften wie hoher Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und thermischer Gleichmäßigkeit erhalten.

In einem typischen Trommelreaktor hat der SiC-beschichtete Epi-Suszeptor eine Trommelstruktur. Die Unterseite des SiC-beschichteten Epi-Suszeptors ist mit der rotierenden Welle verbunden. Während des epitaktischen Wachstumsprozesses wird eine abwechselnde Drehung im und gegen den Uhrzeigersinn beibehalten. Das Reaktionsgas tritt durch die Düse in die Reaktionskammer ein, so dass der Gasstrom eine ziemlich gleichmäßige Verteilung in der Reaktionskammer bildet und schließlich ein gleichmäßiges Epitaxieschichtwachstum ausbildet.

Die Beziehung zwischen der Massenänderung von SiC-beschichtetem Graphit und der Oxidationszeit

Die Ergebnisse veröffentlichter Studien zeigen, dass die Masse von SiC-beschichtetem Graphit bei 1400℃ und 1600℃ nur sehr wenig zunimmt. Das heißt, SiC-beschichteter Graphit hat eine starke antioxidative Wirkung. Daher können SiC-beschichtete Epi-Suszeptoren in den meisten Epitaxieöfen lange Zeit funktionieren. Wenn Sie weitere Anforderungen oder individuelle Bedürfnisse haben, kontaktieren Sie uns bitte. Wir sind bestrebt, SiC-beschichtete Epi-Suszeptorlösungen bester Qualität anzubieten.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung

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