Duschkopf aus Siliziumkarbid

Der Siliziumkarbid-Duschkopf von VeTek Semiconductor besteht hauptsächlich aus SiC. Bei der Halbleiterverarbeitung besteht die Hauptfunktion des Siliziumkarbid-Duschkopfs darin, das Reaktionsgas gleichmäßig zu verteilen, um die Bildung eines gleichmäßigen Films während des Prozesses sicherzustellenchemische Gasphasenabscheidung (CVD)oderphysikalische Gasphasenabscheidung (PVD)Prozesse. Aufgrund der hervorragenden Eigenschaften von SiC wie hoher Wärmeleitfähigkeit und chemischer Stabilität kann der SiC-Duschkopf bei hohen Temperaturen effizient arbeiten und die Ungleichmäßigkeit des Gasflusses während des Betriebs reduzierenAblagerungsprozessund somit die Qualität der Folienschicht verbessern.

Der Siliziumkarbid-Duschkopf kann das Reaktionsgas gleichmäßig über mehrere Düsen mit derselben Öffnung verteilen, einen gleichmäßigen Gasfluss gewährleisten, zu hohe oder zu niedrige lokale Konzentrationen vermeiden und so die Qualität des Films verbessern. Kombiniert mit der hervorragenden Hochtemperaturbeständigkeit und chemischen Stabilität vonCVD-SiCDabei werden keine Partikel oder Verunreinigungen freigesetztFilmabscheidungsprozess, was für die Aufrechterhaltung der Reinheit der Filmabscheidung von entscheidender Bedeutung ist.

Ein weiterer großer Vorteil des CVD-SiC-Duschkopfs ist seine Beständigkeit gegen thermische Verformung. Diese Funktion stellt sicher, dass die Komponente auch in Hochtemperaturumgebungen, die für chemische Gasphasenabscheidungsprozesse (CVD) oder physikalische Gasphasenabscheidungsprozesse (PVD) typisch sind, ihre physikalische Strukturstabilität beibehalten kann. Die Stabilität minimiert das Risiko einer Fehlausrichtung oder eines mechanischen Versagens und verbessert dadurch die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des Gesamtgeräts.

Als Chinas führender Hersteller und Lieferant von Siliziumkarbid-Duschköpfen. Der größte Vorteil des CVD-Siliziumkarbid-Duschkopfs von VeTek Semiconductor ist die Möglichkeit, maßgeschneiderte Produkte und technische Dienstleistungen anzubieten. Unser maßgeschneiderter Servicevorteil kann den unterschiedlichen Anforderungen verschiedener Kunden an die Oberflächenbeschaffenheit gerecht werden. Insbesondere unterstützt es die verfeinerte Anpassung ausgereifter Verarbeitungs- und Reinigungstechnologien während des Herstellungsprozesses.

Darüber hinaus wird die Poreninnenwand des VeTek Semiconductor Siliziumkarbid-Duschkopfs sorgfältig behandelt, um sicherzustellen, dass keine verbleibende Schadensschicht vorhanden ist, was die Gesamtleistung unter extremen Bedingungen verbessert. Darüber hinaus ist unser CVD-SiC-Duschkopf in der Lage, eine minimale Öffnung von 0,2 mm zu erreichen, wodurch eine hervorragende Gaszufuhrgenauigkeit erreicht wird und ein optimaler Gasfluss und Dünnfilmabscheidungseffekte während der Halbleiterherstellung aufrechterhalten werden.

SEM-DATEN VONCVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR：

Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD SiC-Beschichtung：

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