Massiver SiC-Waferträger

Der solide SiC-Waferträger von VeTek Semiconductor ist für hochtemperatur- und korrosionsbeständige Umgebungen in Halbleiter-Epitaxieprozessen konzipiert und eignet sich für alle Arten von Waferherstellungsprozessen mit hohen Reinheitsanforderungen. VeTek Semiconductor ist ein führender Anbieter von Waferträgern in China und freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in der Halbleiterindustrie zu werden.

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Produktbeschreibung

Der feste SiC-Waferträger ist eine Komponente, die für die Hochtemperatur-, Hochdruck- und Korrosionsumgebung des Halbleiter-Epitaxieprozesses hergestellt wird und für verschiedene Waferherstellungsprozesse mit hohen Reinheitsanforderungen geeignet ist.

Der solide SiC-Waferträger bedeckt den Rand des Wafers, schützt den Wafer und positioniert ihn präzise, wodurch das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten gewährleistet wird. SiC-Materialien werden aufgrund ihrer hervorragenden thermischen Stabilität, Korrosionsbeständigkeit und hervorragenden Wärmeleitfähigkeit häufig in Prozessen wie der Flüssigphasenepitaxie (LPE), der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und der metallorganischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) eingesetzt. Der solide SiC-Waferträger von VeTek Semiconductor wurde in mehreren rauen Umgebungen getestet und kann die Stabilität und Effizienz des Wafer-Epitaxie-Wachstumsprozesses effektiv gewährleisten.

Vapor-phase epitaxial growth method

Der solide SiC-WaferträgerProduktmerkmale

● Ultrahohe Temperaturstabilität: Feste SiC-Waferträger können bei Temperaturen bis zu 1500 °C stabil bleiben und sind nicht anfällig für Verformung oder Rissbildung.

● Ausgezeichnete chemische Korrosionsbeständigkeit: Durch die Verwendung von hochreinen Siliziumkarbidmaterialien kann es der Korrosion durch eine Vielzahl von Chemikalien, einschließlich starker Säuren, starker Laugen und korrosiver Gase, widerstehen und so die Lebensdauer des Waferträgers verlängern.

● Hohe Wärmeleitfähigkeit: Feste SiC-Waferträger verfügen über eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und können die Wärme während des Prozesses schnell und gleichmäßig verteilen, was dazu beiträgt, die Stabilität der Wafertemperatur aufrechtzuerhalten und die Gleichmäßigkeit und Qualität der Epitaxieschicht zu verbessern.

● Geringe Partikelbildung: SiC-Materialien weisen von Natur aus eine geringe Partikelbildung auf, was das Kontaminationsrisiko verringert und die strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie an hohe Reinheit erfüllen kann.

Technische Spezifikationen:

Parameter	Beschreibung
Material	Hochreines, festes Siliziumkarbid
Anwendbare Wafergröße	4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll (anpassbar)
Maximale Temperaturtoleranz	Bis 1500°C
Chemische Beständigkeit	Säure- und Alkalibeständigkeit, Fluoridkorrosionsbeständigkeit
Wärmeleitfähigkeit	250 W/(m·K)
Partikelerzeugungsrate	Extrem geringe Partikelbildung, geeignet für hohe Reinheitsanforderungen
Anpassungsoptionen	Größe, Form und andere technische Parameter können je nach Bedarf angepasst werden

Warum wählenVeTek SemiconductorSolider SiC-Wafer-Substrat-Trägerring?

● Zuverlässigkeit: Nach strengen Tests und tatsächlicher Verifizierung durch Endkunden kann es unter extremen Bedingungen langfristigen und stabilen Support bieten und das Risiko von Prozessunterbrechungen reduzieren.

● Hochwertige Materialien: Hergestellt aus SiC-Materialien höchster Qualität, stellen Sie sicher, dass jeder solide SiC-Waferträger den hohen Standards der Branche entspricht.

● Anpassungsservice: Unterstützen Sie die Anpassung mehrerer Spezifikationen und technischer Anforderungen, um spezifische Prozessanforderungen zu erfüllen.

Wenn Sie weitere Produktinformationen benötigen oder eine Bestellung aufgeben möchten, kontaktieren Sie uns bitte. Wir bieten professionelle Beratung und Lösungen basierend auf Ihren spezifischen Anforderungen, um Ihnen dabei zu helfen, die Produktionseffizienz zu verbessern und die Wartungskosten zu senken.