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TaC-beschichteter Graphit-Suszeptor
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TaC-beschichteter Graphit-Suszeptor

Der TaC-beschichtete Graphit-Suszeptor von VeTek Semiconductor nutzt das chemische Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD), um eine Tantalcarbid-Beschichtung auf der Oberfläche von Graphitteilen herzustellen. Dieses Verfahren ist das ausgereifteste und weist die besten Beschichtungseigenschaften auf. TaC-beschichteter Graphitsuszeptor kann die Lebensdauer von Graphitkomponenten verlängern, die Migration von Graphitverunreinigungen hemmen und die Qualität der Epitaxie sicherstellen. VeTek Semiconductor freut sich auf Ihre Anfrage.

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Produktbeschreibung

Sie sind herzlich eingeladen, in unsere VeTek Semiconductor-Fabrik zu kommen, um den aktuellsten, preisgünstigsten und qualitativ hochwertigsten TaC-beschichteten Graphit-Suszeptor zu kaufen. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.

Der Schmelzpunkt des Tantalkarbid-Keramikmaterials liegt bei bis zu 3880 °C, es hat einen hohen Schmelzpunkt und eine gute chemische Stabilität der Verbindung. Seine Hochtemperaturumgebung kann dennoch eine stabile Leistung aufrechterhalten. Darüber hinaus weist es auch eine hohe Temperaturbeständigkeit, chemische Korrosionsbeständigkeit und eine gute chemische Beständigkeit auf und mechanische Kompatibilität mit Kohlenstoffmaterialien und anderen Eigenschaften, was es zu einem idealen Schutzbeschichtungsmaterial für Graphitsubstrate macht. Die Tantalkarbidbeschichtung kann die Graphitkomponenten wirksam vor dem Einfluss von heißem Ammoniak, Wasserstoff und Siliziumdampf sowie geschmolzenem Metall in der rauen Einsatzumgebung schützen, die Lebensdauer der Graphitkomponenten erheblich verlängern und die Migration von Verunreinigungen im Graphit hemmen. Sicherstellung der Qualität der Epitaxie und des Kristallwachstums. Es wird hauptsächlich im Nasskeramikprozess verwendet.

Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist die ausgereifteste und optimale Vorbereitungsmethode für die Tantalkarbidbeschichtung auf der Graphitoberfläche.


CVD-TaC-Beschichtungsmethode für TaC-beschichteten Graphitsuszeptor:

Der Beschichtungsprozess nutzt TaCl5 und Propylen als Kohlenstoffquelle bzw. Tantalquelle sowie Argon als Trägergas, um Tantalpentachloriddampf nach der Hochtemperaturvergasung in die Reaktionskammer zu bringen. Unter der Zieltemperatur und dem Zieldruck wird der Dampf des Vorläufermaterials auf der Oberfläche des Graphitteils adsorbiert und es kommt zu einer Reihe komplexer chemischer Reaktionen wie der Zersetzung und Kombination von Kohlenstoffquelle und Tantalquelle. Gleichzeitig sind auch eine Reihe von Oberflächenreaktionen wie die Diffusion des Vorläufers und die Desorption von Nebenprodukten beteiligt. Abschließend bildet sich auf der Oberfläche des Graphitteils eine dichte Schutzschicht, die den Graphitteil davor schützt, unter extremen Umweltbedingungen stabil zu bleiben. Die Anwendungsszenarien von Graphitwerkstoffen werden deutlich erweitert.


Produktparameter des TaC-beschichteten Graphitsuszeptors:

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1×10-5 Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Graphitgrößenänderungen -10~-20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um±10um)


Produktionsstätten:


Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:


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