TaC-Beschichtungsfutter

Das TaC-Beschichtungsfutter von VeTek Semiconductor ist die ideale Lösung, um außergewöhnliche Ergebnisse im SiC-EPI-Prozess zu erzielen. Mit seiner TaC-Beschichtung, Hochtemperaturbeständigkeit und chemischen Inertheit ermöglicht Ihnen unser Produkt die präzise und zuverlässige Herstellung hochwertiger Kristalle. Willkommen bei uns.

TaC (Tantalcarbid) ist ein Material, das üblicherweise zur Beschichtung der Oberfläche von Innenteilen von Epitaxiegeräten verwendet wird. Es weist folgende Eigenschaften auf:

● Ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit: TaC-Beschichtungen halten Temperaturen von bis zu 2200 °C stand und eignen sich daher ideal für Anwendungen in Hochtemperaturumgebungen wie epitaktischen Reaktionskammern.

● Hohe Härte: Die Härte von TaC erreicht etwa 2000 HK, was viel härter ist als üblicherweise verwendeter Edelstahl oder Aluminiumlegierungen, wodurch Oberflächenverschleiß wirksam verhindert werden kann.

● Starke chemische Stabilität: Die TaC-Beschichtung funktioniert gut in chemisch korrosiven Umgebungen und kann die Lebensdauer von Epitaxie-Ausrüstungskomponenten erheblich verlängern.

● Gute elektrische Leitfähigkeit: Die TaC-Beschichtung weist eine gute elektrische Leitfähigkeit auf, was die elektrostatische Freisetzung und Wärmeleitung begünstigt.

Diese Eigenschaften machen die TaC-Beschichtung zu einem idealen Material für die Herstellung kritischer Teile wie interne Buchsen, Reaktionskammerwände und Heizelemente für Epitaxiegeräte. Durch die Beschichtung dieser Komponenten mit TaC können die Gesamtleistung und Lebensdauer der Epitaxieausrüstung verbessert werden.

Bei der Siliziumkarbid-Epitaxie können auch TaC-Beschichtungsbrocken eine wichtige Rolle spielen. Die Oberfläche von TaC Die Beschichtung ist glatt und dicht, was die Bildung hochwertiger Siliziumkarbidfilme begünstigt. Gleichzeitig kann die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von TaC dazu beitragen, die Gleichmäßigkeit der Temperaturverteilung innerhalb der Ausrüstung zu verbessern, wodurch die Temperaturkontrollgenauigkeit des Epitaxieprozesses verbessert wird und letztendlich ein qualitativ hochwertigeres Wachstum der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht erreicht wird.