Die Sockelstützplatte mit TaC-Beschichtung von VeTek Semiconductor ist ein hochpräzises Produkt, das speziell für die spezifischen Anforderungen von Halbleiterepitaxieprozessen entwickelt wurde. Mit seiner TaC-Beschichtung, Hochtemperaturbeständigkeit und chemischen Inertheit ermöglicht Ihnen unser Produkt die Herstellung hochwertiger EPI-Schichten mit hoher Qualität. Wir sind bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.
VeTek Semiconductor ist ein chinesischer Hersteller und Lieferant, der hauptsächlich CVD-TaC-Beschichtungssuszeptoren, Einlassringe, Wafer Chunck, TaC-beschichtete Halter und TaC-Beschichtungssockel-Stützplatten mit langjähriger Erfahrung herstellt. Ich hoffe, eine Geschäftsbeziehung mit Ihnen aufzubauen.
TaC-Keramik hat einen Schmelzpunkt von bis zu 3880 °C, eine hohe Härte (Mohs-Härte 9–10), eine große Wärmeleitfähigkeit (22 W·m-1·K−1), eine große Biegefestigkeit (340–400 MPa) und eine geringe Wärmeausdehnung Koeffizient (6,6×10−6K−1) und weisen eine ausgezeichnete thermochemische Stabilität und ausgezeichnete physikalische Eigenschaften auf. Es verfügt über eine gute chemische und mechanische Kompatibilität mit Graphit und C/C-Verbundwerkstoffen, weshalb die TaC-Beschichtung häufig für den Wärmeschutz in der Luft- und Raumfahrt, für das Wachstum von Einkristallen und für epitaktische Reaktoren wie Aixtron und LPE-EPI-Reaktoren in der Halbleiterindustrie verwendet wird. TaC-beschichteter Graphit hat eine bessere chemische Korrosionsbeständigkeit als blanke Steintinte oder SiC-beschichteter Graphit, kann bei hohen Temperaturen von 2200 ° stabil verwendet werden, reagiert nicht mit vielen Metallelementen und ist die dritte Generation der Halbleiter-Einkristallwachstums-, Epitaxie- und Waferätzszene Die Beschichtung mit der besten Leistung kann den Prozess der Temperatur- und Verunreinigungskontrolle sowie die Herstellung hochwertiger Siliziumkarbid-Wafer und zugehöriger Epitaxie-Wafer erheblich verbessern. Es eignet sich besonders für die Züchtung von GaN- oder AlN-Einkristallen in MOCVD-Geräten und SiC-Einkristallen in PVT-Geräten, und die Qualität des gezüchteten Einkristalls wird offensichtlich verbessert.
Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung | |
Dichte | 14,3 (g/cm³) |
Spezifischer Emissionsgrad | 0.3 |
Wärmeausdehnungskoeffizient | 6,3 10-6/K |
Härte (HK) | 2000 HK |
Widerstand | 1×10-5 Ohm*cm |
Thermische Stabilität | <2500℃ |
Graphitgrößenänderungen | -10~-20um |
Beschichtungsdicke | ≥20um typischer Wert (35um±10um) |