Der TaC Coating Planetary Susceptor von VeTek Semiconductor ist ein außergewöhnliches Produkt für die Epitaxieausrüstung von Aixtron. Die robuste TaC-Beschichtung bietet eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit und chemische Inertheit. Diese einzigartige Kombination gewährleistet zuverlässige Leistung und lange Lebensdauer, selbst in anspruchsvollen Umgebungen. VeTek ist bestrebt, qualitativ hochwertige Produkte anzubieten und als langfristiger Partner auf dem chinesischen Markt zu wettbewerbsfähigen Preisen zu fungieren.
Im Bereich der Halbleiterfertigung spielt der TaC Coating Planetary Susceptor eine entscheidende Rolle. Es wird häufig beim Wachstum epitaktischer Schichten aus Siliziumkarbid (SiC) in Geräten wie dem Aixtron G5-System verwendet. Darüber hinaus bietet der TaC Coating Planetary Susceptor bei Verwendung als äußere Scheibe bei der Abscheidung von Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen für die SiC-Epitaxie wesentliche Unterstützung und Stabilität. Es sorgt für eine gleichmäßige Abscheidung der Tantalcarbidschicht und trägt zur Bildung hochwertiger Epitaxieschichten mit hervorragender Oberflächenmorphologie und gewünschter Filmdicke bei. Die chemische Inertheit der TaC-Beschichtung verhindert unerwünschte Reaktionen und Verunreinigungen, bewahrt die Integrität der Epitaxieschichten und gewährleistet deren hervorragende Qualität.
Die außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit der TaC-Beschichtung ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung, fördert eine gleichmäßige Temperaturverteilung und minimiert die thermische Belastung während des epitaktischen Wachstumsprozesses. Dies führt zur Herstellung hochwertiger SiC-Epitaxieschichten mit verbesserten kristallographischen Eigenschaften und erhöhter elektrischer Leitfähigkeit.
Die präzisen Abmessungen und die robuste Konstruktion der TaC Coating Planetary Disk erleichtern die Integration in bestehende Systeme und sorgen für nahtlose Kompatibilität und effizienten Betrieb. Seine zuverlässige Leistung und die hochwertige TaC-Beschichtung tragen zu konsistenten und gleichmäßigen Ergebnissen bei SiC-Epitaxieprozessen bei.
Vertrauen Sie VeTek Semiconductor und unserer TaC-beschichteten Planetenscheibe für außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit in der SiC-Epitaxie. Erleben Sie die Vorteile unserer innovativen Lösungen und positionieren Sie sich an der Spitze des technologischen Fortschritts in der Halbleiterindustrie.
Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung | |
Dichte | 14,3 (g/cm³) |
Spezifischer Emissionsgrad | 0.3 |
Wärmeausdehnungskoeffizient | 6,3 10-6/K |
Härte (HK) | 2000 HK |
Widerstand | 1×10-5 Ohm*cm |
Thermische Stabilität | <2500℃ |
Graphitgrößenänderungen | -10~-20um |
Beschichtungsdicke | ≥20um typischer Wert (35um±10um) |