Die TaC-Beschichtungsplatte von VeTek Semiconductor ist ein bemerkenswertes Produkt, das außergewöhnliche Funktionen und Vorteile bietet. Unsere mit Präzision entworfene und perfekt konstruierte TaC-Beschichtungsplatte ist speziell auf verschiedene Anwendungen in Siliziumkarbid (SiC)-Einkristallwachstumsprozessen zugeschnitten. Die präzisen Abmessungen und die robuste Konstruktion der TaC-Beschichtungsplatte erleichtern die Integration in bestehende Systeme und gewährleisten nahtlose Kompatibilität und effizienten Betrieb. Seine zuverlässige Leistung und hochwertige Beschichtung tragen zu konsistenten und gleichmäßigen Ergebnissen bei SiC-Kristallwachstumsanwendungen bei. Wir sind bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.
Sie können sicher sein, TaC-Beschichtungsplatten in unserer Fabrik zu kaufen. Unsere TaC-Beschichtungsplatten sind ein wichtiger Bestandteil des Halbleiter-Epitaxie-Reaktors, der zu einer hervorragenden Epitaxieschichtausbeute und Wachstumseffizienz beiträgt. Verbessern Sie die Produktqualität.
Für die Herstellung neuer Halbleiter mit immer raueren Vorbereitungsumgebungen, wie z. B. die Herstellung der Epitaxieschicht aus Nitriden der dritten Hauptgruppe (GaN) durch metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) und die Herstellung epitaktischer SiC-Wachstumsfilme durch chemische Gasphasenabscheidung Ablagerungen (CVD) werden durch Gase wie H2 und NH3 in Umgebungen mit hohen Temperaturen erodiert. Die SiC- und BN-Schutzschichten auf der Oberfläche bestehender Wachstumsträger oder Gaskanäle können aufgrund ihrer Beteiligung an chemischen Reaktionen versagen, was sich negativ auf die Qualität von Produkten wie Kristallen und Halbleitern auswirkt. Daher ist es notwendig, ein Material mit besserer chemischer Stabilität und Korrosionsbeständigkeit als Schutzschicht zu finden, um die Qualität von Kristallen, Halbleitern und anderen Produkten zu verbessern. Tantalkarbid verfügt über hervorragende physikalische und chemische Eigenschaften. Aufgrund der Rolle starker chemischer Bindungen ist seine chemische Stabilität und Korrosionsbeständigkeit bei hohen Temperaturen viel höher als bei SiC, BN usw. und bietet hervorragende Anwendungsaussichten für Korrosionsbeständigkeit und hervorragende thermische Stabilität der Beschichtung .
VeTek Semiconductor verfügt über fortschrittliche Produktionsanlagen und ein perfektes Qualitätsmanagementsystem, eine strenge Prozesskontrolle, um die TaC-Beschichtung in Chargen mit gleichbleibender Leistung sicherzustellen. Das Unternehmen verfügt über große Produktionskapazitäten, um die Bedürfnisse der Kunden in großen Liefermengen zu erfüllen, und eine perfekte Qualitätsüberwachung Mechanismus, um die Qualität jedes Produkts stabil und zuverlässig zu gewährleisten.
Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung | |
Dichte | 14,3 (g/cm³) |
Spezifischer Emissionsgrad | 0.3 |
Wärmeausdehnungskoeffizient | 6,3 10-6/K |
Härte (HK) | 2000 HK |
Widerstand | 1×10-5 Ohm*cm |
Thermische Stabilität | <2500℃ |
Graphitgrößenänderungen | -10~-20um |
Beschichtungsdicke | ≥20um typischer Wert (35um±10um) |