Rotationssuszeptor mit TaC-Beschichtung

Der VeTek Semiconductor TaC Coating Rotation Susceptor ist eine Schlüsselkomponente für die Waferhandhabung in der Halbleiterverarbeitung. Es istTaC Counserverfügt über eine ausgezeichnete Hochtemperaturtoleranz (Schmelzpunkt bis 3880°C), chemische Stabilität und Korrosionsbeständigkeit, die eine hohe Präzision und hohe Qualität bei der Waferverarbeitung gewährleisten.

Der TaC-Beschichtungsrotationssuszeptor (Tantal-Kohlenstoff-Beschichtungsrotationssuszeptor) ist eine wichtige Ausrüstungskomponente für die Halbleiterverarbeitung. Es wird normalerweise in installiertchemische Gasphasenabscheidung (CVD)und Molekularstrahlepitaxie (MBE)-Geräte zur Unterstützung und Drehung von Wafern, um eine gleichmäßige Materialabscheidung und eine effiziente Reaktion sicherzustellen. Diese Art von Produkt verbessert die Lebensdauer und Leistung der Ausrüstung in Umgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion erheblich, indem das Substrat damit beschichtet wirdTantal-Kohlenstoff (TaC)-Beschichtung.

Der Rotationssuszeptor mit TaC-Beschichtung besteht normalerweise aus einer TaC-Beschichtung und Graphit oder Siliziumkarbid als Substratmaterial. TaC ist ein Ultrahochtemperatur-Keramikmaterial mit extrem hohem Schmelzpunkt (Schmelzpunkt bis zu 3880 °C), Härte (Vickers-Härte beträgt etwa 2000 HK) und ausgezeichneter chemischer Korrosionsbeständigkeit. VeTek Semiconductor kann die Tantal-Kohlenstoff-Beschichtung auf dem Substratmaterial durch CVD-Technologie effektiv und gleichmäßig abdecken.

Rotationssuszeptoren bestehen normalerweise aus Materialien mit hoher Wärmeleitfähigkeit und hoher Festigkeit (Graphit oder ...).Siliziumkarbid), das in Umgebungen mit hohen Temperaturen eine gute mechanische Unterstützung und thermische Stabilität bieten kann. Die perfekte Kombination aus beiden bestimmt die perfekte Leistung des TaC Coating Rotation Susceptor beim Stützen und Rotieren von Wafern.

Der TaC Coating Rotation Susceptor unterstützt und dreht den Wafer im CVD-Prozess. Die Vickers-Härte von TaC beträgt etwa 2000 HK, wodurch es wiederholter Reibung des Materials standhält und eine gute Stützrolle spielt, wodurch sichergestellt wird, dass das Reaktionsgas gleichmäßig auf der Waferoberfläche verteilt und das Material gleichmäßig abgeschieden wird. Gleichzeitig ermöglicht die hohe Temperaturtoleranz und Korrosionsbeständigkeit der TaC-Beschichtung den Einsatz über einen langen Zeitraum bei hohen Temperaturen und korrosiven Atmosphären, wodurch eine Kontamination des Wafers und des Trägers wirksam vermieden wird.

Darüber hinaus beträgt die Wärmeleitfähigkeit von TaC 21 W/m·K, was eine gute Wärmeübertragung ermöglicht. Daher kann der TaC Coating Rotation Susceptor den Wafer unter Hochtemperaturbedingungen gleichmäßig erwärmen und die Gleichmäßigkeit des Gasabscheidungsprozesses durch Rotationsbewegung sicherstellen, wodurch die Konsistenz und hohe Qualität erhalten bleibtWaferwachstum.

Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt：

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung：

Geschäfte für TaC-Beschichtungsrotationssuszeptoren: