TaC-Beschichtungssuszeptor

Der mit TaC beschichtete Suszeptor und Ring von VeTek Semiconductor arbeiten im LPE-Siliziumkarbid-Epitaxie-Wachstumsreaktor zusammen:

Hochtemperaturbeständigkeit: Der TaC-Beschichtungssuszeptor verfügt über eine ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit und hält den extremen Temperaturen von bis zu 1500 °C im LPE-Reaktor stand. Dadurch wird sichergestellt, dass sich die Geräte und Komponenten im Langzeitbetrieb nicht verformen oder beschädigt werden.

Chemische Stabilität: Der TaC-Beschichtungssuszeptor leistet in der korrosiven Siliziumkarbid-Wachstumsumgebung eine außergewöhnlich gute Leistung, indem er die Reaktorkomponenten effektiv vor korrosiven chemischen Angriffen schützt und so ihre Lebensdauer verlängert.

Thermische Stabilität: Der TaC-Beschichtungssuszeptor weist eine gute thermische Stabilität auf und behält die Oberflächenmorphologie und -rauheit bei, um die Gleichmäßigkeit des Temperaturfelds im Reaktor sicherzustellen, was für das qualitativ hochwertige Wachstum der Siliziumkarbid-Epitaxieschichten von Vorteil ist.

Anti-Kontamination: Die glatte, mit TaC beschichtete Oberfläche und die überlegene TPD-Leistung (temperaturprogrammierte Desorption) können die Ansammlung und Adsorption von Partikeln und Verunreinigungen im Reaktor minimieren und so eine Kontamination der Epitaxieschichten verhindern.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der TaC-beschichtete Suszeptor und der Ring eine entscheidende Schutzfunktion im LPE-Siliziumkarbid-Epitaxie-Wachstumsreaktor spielen und den langfristig stabilen Betrieb der Ausrüstung und das qualitativ hochwertige Wachstum der Epitaxieschichten gewährleisten.

Produktparameter des TaC-Beschichtungssuszeptors:

Industriekette:

Produktionswerkstatt