China Tantalcarbid-Beschichtung Hersteller, Lieferant, Fabrik

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller von Tantalcarbid-Beschichtungsmaterialien für die Halbleiterindustrie. Zu unserem Hauptproduktangebot gehören CVD-Tantalcarbid-Beschichtungsteile, gesinterte TaC-Beschichtungsteile für das SiC-Kristallwachstum oder den Halbleiterepitaxieprozess. VeTek Semiconductor hat ISO9001 bestanden und verfügt über eine gute Qualitätskontrolle. VeTek Semiconductor ist bestrebt, durch kontinuierliche Forschung und Entwicklung iterativer Technologien zum Innovator in der Tantalcarbid-Beschichtungsindustrie zu werden.

Die Hauptprodukte sindTantalcarbid-beschichteter Deflektorring, TaC-beschichteter Umlenkring, TaC-beschichtete Halbmondteile, Tantalcarbid-beschichtete Planetenrotationsscheibe (Aixtron G10), TaC-beschichteter Tiegel; TaC-beschichtete Ringe; TaC-beschichteter poröser Graphit; Graphitsuszeptor mit Tantalkarbidbeschichtung; TaC-beschichteter Führungsring; TaC-Tantalcarbid-beschichtete Platte; TaC-beschichteter Wafer-Suszeptor; TaC-Beschichtungsring; TaC-Beschichtung Graphitabdeckung; TaC-beschichteter Brockenusw., die Reinheit liegt unter 5 ppm, kann die Kundenanforderungen erfüllen.

TaC-Beschichtungsgraphit wird hergestellt, indem die Oberfläche eines hochreinen Graphitsubstrats mit einer feinen Schicht Tantalkarbid durch ein proprietäres CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) beschichtet wird. Der Vorteil ist im folgenden Bild dargestellt:

Excellent properties of TaC coating graphite

Die Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung hat aufgrund ihres hohen Schmelzpunkts von bis zu 3880 °C, ihrer hervorragenden mechanischen Festigkeit, Härte und Beständigkeit gegen Thermoschocks Aufmerksamkeit erregt, was sie zu einer attraktiven Alternative zu Epitaxieprozessen für Verbindungshalbleiter mit höheren Temperaturanforderungen macht. wie das Aixtron MOCVD-System und der LPE-SiC-Epitaxieprozess. Es findet auch eine breite Anwendung im SiC-Kristallwachstumsprozess mit der PVT-Methode.

Hauptmerkmale:

●Temperaturstabilität

●Ultrahohe Reinheit

●Beständigkeit gegen H2, NH3, SiH4, Si

●Beständigkeit gegen thermische Bestände

●Starke Haftung auf Graphit

●Schutzbeschichtung

● Größe bis 750 mm Durchmesser (Der einzige Hersteller in China erreicht diese Größe)

Anwendungen:

●Waffelträger

● Induktiver Heizsuszeptor

● Widerstandsheizelement

●Satellitenscheibe

●Duschkopf

●Führungsring

●LED-Epi-Empfänger

●Einspritzdüse

●Abdeckring

● Hitzeschild

Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt:

the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating

Parameter der VeTek Semiconductor Tantalcarbid-Beschichtung:

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte	14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad	0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient	6,3 10^-6/K
Härte (HK)	2000 HK
Widerstand	1×10^-5Ohm*cm
Thermische Stabilität	<2500℃
Graphitgrößenänderungen	-10~-20um
Beschichtungsdicke	≥20um typischer Wert (35um±10um)

TaC-Beschichtung EDX-Daten：

EDX data of TaC coating

Kristallstrukturdaten der TaC-Beschichtung:

Element	Atomprozent
	Pt. 1	Pt. 2	Pt. 3	Durchschnitt
C K	52.10	57.41	52.37	53.96
Ihnen	47.90	42.59	47.63	46.04

TaC-Beschichtungsfutter TaC-beschichtete Planetenscheibe TaC-beschichtete Platte Rotationsplatte mit TaC-Beschichtung TaC-Beschichtungsempfänger Abdeckung mit CVD-TaC-Beschichtung CVD-TaC-Beschichtungsring TaC-Beschichtungsplatte

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