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China Tantalcarbid-Beschichtung Hersteller, Lieferant, Fabrik

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller von Tantalcarbid-Beschichtungsmaterialien für die Halbleiterindustrie. Zu unserem Hauptproduktangebot gehören CVD-Tantalcarbid-Beschichtungsteile, gesinterte TaC-Beschichtungsteile für das SiC-Kristallwachstum oder den Halbleiterepitaxieprozess. VeTek Semiconductor hat ISO9001 bestanden und verfügt über eine gute Qualitätskontrolle. VeTek Semiconductor ist bestrebt, durch kontinuierliche Forschung und Entwicklung iterativer Technologien zum Innovator in der Tantalcarbid-Beschichtungsindustrie zu werden.


Die Hauptprodukte sindTantalcarbid-beschichteter Deflektorring, TaC-beschichteter Umlenkring, TaC-beschichtete Halbmondteile, Tantalcarbid-beschichtete Planetenrotationsscheibe (Aixtron G10), TaC-beschichteter Tiegel; TaC-beschichtete Ringe; TaC-beschichteter poröser Graphit; Graphitsuszeptor mit Tantalkarbidbeschichtung; TaC-beschichteter Führungsring; TaC-Tantalcarbid-beschichtete Platte; TaC-beschichteter Wafer-Suszeptor; TaC-Beschichtungsring; TaC-Beschichtung Graphitabdeckung; TaC-beschichteter Brockenusw., die Reinheit liegt unter 5 ppm, kann die Kundenanforderungen erfüllen.


TaC-Beschichtungsgraphit wird hergestellt, indem die Oberfläche eines hochreinen Graphitsubstrats mit einer feinen Schicht Tantalkarbid durch ein proprietäres chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD) beschichtet wird. Der Vorteil ist im folgenden Bild dargestellt:


Performance Advantages of Tantalum Carbide Coating


Die Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung hat aufgrund ihres hohen Schmelzpunkts von bis zu 3880 °C, ihrer hervorragenden mechanischen Festigkeit, Härte und Beständigkeit gegen Thermoschocks Aufmerksamkeit erregt, was sie zu einer attraktiven Alternative zu Epitaxieprozessen für Verbindungshalbleiter mit höheren Temperaturanforderungen macht. wie das Aixtron MOCVD-System und der LPE-SiC-Epitaxieprozess. Es findet auch eine breite Anwendung im SiC-Kristallwachstumsprozess mit der PVT-Methode.


Hauptmerkmale:

Temperaturstabilität

Ultrahohe Reinheit

Beständigkeit gegen H2, NH3, SiH4, Si

Beständigkeit gegen thermische Bestände

Starke Haftung auf Graphit

Schutzbeschichtung

Größe bis 750 mm Durchmesser (Der einzige Hersteller in China erreicht diese Größe)


Anwendungen:

Waffelträger

Induktiver Heizsuszeptor

Widerstandsheizelement

Satellitenscheibe

Duschkopf

Führungsring

LED-Epi-Empfänger

Einspritzdüse

Abdeckring

Hitzeschild


Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section


Parameter der VeTek Semiconductor Tantalcarbid-Beschichtung:

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1×10-5Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Graphitgrößenänderungen -10~-20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um±10um)


TaC-Beschichtung EDX-Daten

TaC coating EDX data


Kristallstrukturdaten der TaC-Beschichtung

Element Atomprozent
Pt. 1 Pt. 2 Pt. 3 Durchschnitt
C K 52.10 57.41 52.37 53.96
Ta M 47.90 42.59 47.63 46.04


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TaC-beschichteter Graphit-Wafer-Träger

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