Aixtron Satellite Wafer-Träger

Der Aixtron Satellite Wafer Carrier ist ein integraler Bestandteil der MOCVD-Ausrüstung von AIXTRON und wird speziell zum Transport von Wafern für das epitaktische Wachstum verwendet. Es eignet sich besonders für dieepitaktisches WachstumProzess von GaN- und Siliziumkarbid (SiC)-Geräten. Sein einzigartiges „Satelliten“-Design gewährleistet nicht nur die Gleichmäßigkeit des Gasflusses, sondern verbessert auch die Gleichmäßigkeit der Filmabscheidung auf der Waferoberfläche.

AixtronsWaferträgerbestehen normalerweise ausSiliziumkarbid (SiC)oder CVD-beschichteter Graphit. Unter diesen weist Siliziumkarbid (SiC) eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, eine hohe Temperaturbeständigkeit und einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten auf. CVD-beschichteter Graphit ist Graphit, der durch ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD) mit einem Siliziumkarbidfilm beschichtet wird, was seine Korrosionsbeständigkeit und mechanische Festigkeit verbessern kann. SiC- und beschichtete Graphitmaterialien können Temperaturen von bis zu 1.400 °C–1.600 °C standhalten und weisen eine ausgezeichnete thermische Stabilität bei hohen Temperaturen auf, was für den epitaktischen Wachstumsprozess von entscheidender Bedeutung ist.

Der Aixtron Satellite Wafer Carrier wird hauptsächlich zum Transport und Drehen von Wafern verwendetMOCVD-Prozessum einen gleichmäßigen Gasfluss und eine gleichmäßige Abscheidung während des epitaktischen Wachstums sicherzustellen.Die spezifischen Funktionen sind wie folgt:

Waferrotation und gleichmäßige Abscheidung: Durch die Rotation des Aixtron-Satellitenträgers kann der Wafer während des epitaktischen Wachstums eine stabile Bewegung aufrechterhalten, sodass das Gas gleichmäßig über die Waferoberfläche strömen kann, um eine gleichmäßige Materialabscheidung zu gewährleisten.

Hochtemperaturlager und Stabilität: Siliziumkarbid- oder beschichtete Graphitmaterialien können Temperaturen von bis zu 1.400 °C–1.600 °C standhalten. Diese Funktion stellt sicher, dass sich der Wafer während des Epitaxiewachstums bei hoher Temperatur nicht verformt, und verhindert gleichzeitig, dass die thermische Ausdehnung des Trägers selbst den Epitaxieprozess beeinflusst.

Reduzierte Partikelbildung: Hochwertige Trägermaterialien (z. B. SiC) verfügen über glatte Oberflächen, die die Partikelbildung beim Aufdampfen reduzieren und dadurch die Möglichkeit einer Kontamination minimieren, was für die Herstellung hochreiner und hochwertiger Halbleitermaterialien von entscheidender Bedeutung ist.

Der Aixtron Satellite Wafer Carrier von VeTek Semiconductor ist in den Wafergrößen 100 mm, 150 mm, 200 mm und noch größeren Größen erhältlich und kann maßgeschneiderte Produktdienstleistungen basierend auf Ihren Ausrüstungs- und Prozessanforderungen anbieten. Wir hoffen aufrichtig, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.

REM-DATEN DER CVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR：

Aixtron Satellite Wafer Carrier Produktionshallen:

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie: