Waferträger mit CVD-TaC-Beschichtung

Während des Halbleiterherstellungsprozesses arbeitet VeTek SemiconductorWaferträger mit CVD-TaC-Beschichtungist ein Tablett zum Tragen von Waffeln. Dieses Produkt verwendet ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD), um eine Schicht TaC-Beschichtung auf die Oberfläche aufzutragenWaferträgersubstrat. Diese Beschichtung kann die Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit des Waferträgers erheblich verbessern und gleichzeitig die Partikelkontamination während der Verarbeitung reduzieren. Es ist eine wichtige Komponente in der Halbleiterverarbeitung.

VeTek SemiconductorWaferträger mit CVD-TaC-Beschichtungbesteht aus einem Substrat und aTantalcarbid (TaC)-Beschichtung.

Die Dicke von Tantalkarbidbeschichtungen liegt typischerweise im Bereich von 30 Mikrometern, und TaC hat einen Schmelzpunkt von bis zu 3.880 °C und bietet neben anderen Eigenschaften eine hervorragende Korrosions- und Verschleißbeständigkeit.

Das Trägermaterial besteht aus hochreinem Graphit bzwSiliziumkarbid (SiC)Anschließend wird die Oberfläche durch ein CVD-Verfahren mit einer TaC-Schicht (Knoop-Härte bis zu 2000 HK) beschichtet, um die Korrosionsbeständigkeit und mechanische Festigkeit zu verbessern.

Normalerweise der Waferträger mit CVD-TaC-Beschichtung von VeTek Semiconductorspielt während des Wafer-Transportprozesses die folgenden Rollen:

Laden und Fixieren der Wafer: Die Knoop-Härte von Tantalcarbid beträgt bis zu 2000HK, wodurch die stabile Unterstützung des Wafers in der Reaktionskammer effektiv gewährleistet werden kann. In Kombination mit der guten Wärmeleitfähigkeit von TaC (die Wärmeleitfähigkeit beträgt etwa 21 W/mK) kann die Waferoberfläche gleichmäßig erhitzt werden und eine gleichmäßige Temperaturverteilung aufrechterhalten werden, was zu einem gleichmäßigen Wachstum der Epitaxieschicht beiträgt.

Reduzieren Sie die Partikelverschmutzung: Die glatte Oberfläche und die hohe Härte von CVD-TaC-Beschichtungen tragen dazu bei, die Reibung zwischen Träger und Wafer zu verringern und dadurch das Risiko einer Partikelkontamination zu verringern, was für die Herstellung hochwertiger Halbleiterbauelemente von entscheidender Bedeutung ist.

Hochtemperaturstabilität: Während der Halbleiterverarbeitung liegen die tatsächlichen Betriebstemperaturen typischerweise zwischen 1.200 °C und 1.600 °C, und TaC-Beschichtungen haben einen Schmelzpunkt von bis zu 3.880 °C. In Kombination mit seinem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten (der Wärmeausdehnungskoeffizient beträgt etwa 6,3 × 10⁻⁶/°C) kann der Träger seine mechanische Festigkeit und Dimensionsstabilität unter Hochtemperaturbedingungen beibehalten und so verhindern, dass der Wafer während der Verarbeitung reißt oder sich aufgrund von Spannungen verformt.

Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-TaC-Beschichtung：